[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911257093.5 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112951825A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。包括：获取包括存储单元阵列区的衬底；形成字线沟槽；在字线沟槽内形成字线导电薄膜；在衬底表面形成光刻胶，光刻胶覆盖字线部的字线导电薄膜且露出字线接触部之外的字线导电薄膜；使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度。通过在衬底表面形成光刻胶，使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度，从而降低了字线接触结构中字线接触孔的开窗位置深度，减少了形成接触孔工艺制程中的工艺时间，降低了接触孔工艺制程中对接触孔开窗深度较浅的接触孔的侧壁的过度侵蚀，避免了接触孔异常引起的器件短路异常。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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