[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

说明书

本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。包括：获取包括存储单元阵列区的衬底；形成字线沟槽；在字线沟槽内形成字线导电薄膜；在衬底表面形成光刻胶，光刻胶覆盖字线部的字线导电薄膜且露出字线接触部之外的字线导电薄膜；使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度。通过在衬底表面形成光刻胶，使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度，从而降低了字线接触结构中字线接触孔的开窗位置深度，减少了形成接触孔工艺制程中的工艺时间，降低了接触孔工艺制程中对接触孔开窗深度较浅的接触孔的侧壁的过度侵蚀，避免了接触孔异常引起的器件短路异常。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

动态随机存储器在制作接触窗结构时，由于不同的接触窗结构对应的接触孔深度不同，使用同一工艺制程制备不同接触窗结构的接触孔就会出现制程工艺开窗深度不足的问题，例如有源区接触孔已经停在有源区表面时，位置较深的字线接触孔停留在字线导电结构上方还未完成开窗，继续刻蚀字线接触孔则会导致有源区接触孔蚀刻到有源区内部，同时接触孔的侧壁也会出现扩孔的问题，容易引起器件的特征尺寸变大或侧壁刻蚀引起的器件短路异常。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种新的半导体器件的制作方法及一种新的半导体器件。

一种半导体器件的制作方法,包括：

获取衬底，所述衬底包括存储单元阵列区；

在所述存储单元阵列区形成间隔排布的字线沟槽；

在所述字线沟槽内填充字线导电材料，形成字线导电薄膜；

在所述衬底表面形成光刻胶，所述光刻胶覆盖字线接触部的字线导电薄膜且露出字线接触部之外的字线导电薄膜；

以所述光刻胶为阻挡层，将未被所述光刻胶覆盖的的字线导电薄膜蚀刻至目标高度后得到字线导电结构，使得所述字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被所述光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度；

去除所述光刻胶。

在其中一个实施例中，所述字线接触部位于所述字线导电结构的末端。

在其中一个实施例中，所述字线接触部的字线导电结构的厚度与未被所述光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度的比值大于等于1.5且小于等于4.0。

在其中一个实施例中，所述去除所述光刻胶后，还包括：

在所述衬底表面形成第一绝缘介质层；

图形化所述第一绝缘介质层，在所述字线接触部上形成字线接触孔。

在其中一个实施例中，所述衬底还包括周边电路区，所述周边电路区包括晶体管有源区，所述有源区表面形成有第二绝缘介质层，图形化所述第二绝缘介质层，在所述有源区的源极区/漏极区上形成有源区接触孔。

在其中一个实施例中，所述有源区接触孔与所述字线接触孔之间的高度差大于等于0且小于有源区接触孔高度的百分之二十。

在其中一个实施例中，所述字线接触孔和所述有源区接触孔是通过同一工艺制程形成的。

在其中一个实施例中，所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层是通过同一工艺制程形成的。

在其中一个实施例中，所述半导体器件为动态随机存储器。