[发明专利]一种二极管的制备工艺在审
申请号: | 201911232817.0 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN110739218A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 吕本军 | 申请(专利权)人: | 徐州前沿电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种二极管的制备工艺,焊接;酸洗,利用各种酸和水,对芯片P‑N结周围边缘表面进行化学腐蚀,使P‑N结的击穿首先从体内发生,以获得于理论值接近的反向击穿电压和极小的表面漏电流;模压,使管芯与外界环境隔离,避免有害气体的侵蚀,并使表面光洁和具有特定的几何形状,起到保护管芯、稳定表面、固定管芯内引线,提高二极管机械强度,方便客户使用的作用;成型固化,对模压后的二极管的塑封料通过高温烘烤;电镀,管子的引线通过电镀使表面形成一层薄膜的锡层;引直,使管子引线平直,无明显弯曲;印字,辨别极性,将电性分类;烘烤;检测,检测出不合格的二极管。本发明工艺简单,且生产出来的二极管性能稳定。 | ||
搜索关键词: | 二极管 电镀 管子 管芯 反向击穿电压 表面光洁 表面形成 成型固化 高温烘烤 固定管芯 化学腐蚀 客户使用 外界环境 稳定表面 制备工艺 周围边缘 漏电流 内引线 塑封料 烘烤 检测 电性 击穿 平直 酸洗 锡层 印字 薄膜 焊接 辨别 体内 芯片 隔离 侵蚀 分类 生产 | ||
【主权项】:
1.一种二极管的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤一:焊接,辅助工序有排向、装填、进炉、出炉转换组成;/n步骤二:酸洗,利用各种酸和水,对芯片P-N结周围边缘表面进行化学腐蚀,以改善机械损伤,祛除表面吸附的杂质,降低表面电场,使P-N结的击穿首先从体内发生,以获得于理论值接近的反向击穿电压和极小的表面漏电流/n步骤三:模压,使管芯与外界环境隔离,避免有害气体的侵蚀,并使表面光洁和具有特定的几何形状,起到保护管芯、稳定表面、固定管芯内引线,提高二极管机械强度,方便客户使用的作用;/n步骤四:成型固化,对模压后的二极管的塑封料通过高温烘烤;/n步骤五:电镀,管子的引线通过电镀使表面形成一层薄膜的锡层;/n步骤六:引直,使管子引线平直,无明显弯曲;/n步骤七:印字,辨别极性,将电性分类;/n步骤八,烘烤;步骤九:检测,检测出不合格的二极管。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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