[发明专利]存储器的制作方法及存储器在审
| 申请号： | 201911227541.7 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111128721A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 何国伟;沈鑫帅;侯会丹 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/336;H01L21/02;H01L29/78;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种存储器的制作方法及存储器，该方法包括：在具有场效应晶体管的第一衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成带有悬挂键的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成与所述第一绝缘层相同材料的第三绝缘层；将第二衬底与形成有所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一衬底贴合；在所述第二衬底上表面形成钝化层，其中，所述钝化层中含有氢原子；在预设温度下对所述钝化层进行退火处理，使所述钝化层中的氢原子释放至所述第二绝缘层并与所述悬挂键结合形成共价键。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911227541.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
