[发明专利]存储器的制作方法及存储器

权利要求书

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在具有场效应晶体管的第一衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成带有悬挂键的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成与所述第一绝缘层相同材料的第三绝缘层；

将第二衬底与形成有所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一衬底贴合；

在所述第二衬底上表面形成钝化层，其中，所述钝化层中含有氢原子；

在预设温度下对所述钝化层进行退火处理，使所述钝化层中的氢原子释放至所述第二绝缘层并与所述悬挂键结合形成共价键。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成贯穿在所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一通孔；

在所述第一通孔中注入导电材料，其中，所述第一通孔内的导电材料，用于连接所述第三绝缘层的表面和所述场效应晶体管的栅极；

所述将第二衬底与形成有所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一衬底贴合，包括：

将具有第一连接点的第二衬底贴合在所述第一衬底的第二连接点上，其中，所述第二连接点与所述第一通孔中的导电材料连接。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第三绝缘层上形成金属层，所述金属层通过所述第一通孔中的导电材料与所述栅极形成电连接，用于向所述栅极传输控制信号；

在所述金属层上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成第二通孔；

在所述第二通孔中注入导电材料，使所述第一介质层上表面形成与所述金属层导通的所述第二连接点。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一衬底的所述场效应晶体管的栅极层上，形成第二介质层；

在所述第二介质层上形成第三通孔；

在所述第三通孔中注入导电材料；

在所述第二介质层上形成金属层，所述金属层通过所述第三通孔中的导电材料与所述栅极形成电连接，用于向所述栅极传输控制信号；

所述在具有场效应晶体管的第一衬底上形成第一绝缘层，包括：

在所述金属层上形成所述第一绝缘层。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上形成带有悬挂键的第二绝缘层，包括：

在所述第一绝缘层上释放氧化硅等离子体，所述氧化硅等离子体用于沉积形成带有悬挂键的所述第二绝缘层。

6.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述在所述第二衬底上表面形成钝化层，包括：

在所述第二衬底上表面释放氮化硅等离子体，所述氮化硅等离子体用于沉积形成所述钝化层。

7.一种存储器，其特征在于，包括：

具有场效应晶体管的第一衬底；

所述第一衬底上依次形成有第一绝缘层、第二绝缘层和与所述第一绝缘层相同材料的第三绝缘层；其中，所述第二绝缘层中含有共价键；

第二衬底，与形成有所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一衬底贴合；

所述第二衬底上表面形成有钝化层；

其中，所述共价键，由所述第一衬底与所述第二衬底贴合前包含在所述第二绝缘层的悬挂键和所述钝化层退火处理中产生的氢原子键合形成。

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层上具有第一通孔；

所述第一通孔中含有导电材料，所述第一通孔中的导电材料连接所述第三绝缘层的表面与所述场效应晶体管的栅极；

所述第二衬底上具有第一连接点，所述第一连接点与所述第一衬底上的第二连接点连接，其中，所述第二连接点与所述第一通孔中的导电材料连接。