[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201911213490.2 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112993024A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 新里昌弘;松本将太 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 田勇;陶海萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置具有：半导体基板；多个第1沟槽，其形成在半导体基板的表面，在第1沟槽内经由第1绝缘膜配置有第1导电体；多个第2沟槽，其形成在比第1沟槽靠外侧的半导体基板的表面；在第2沟槽内经由第2绝缘膜配置有第2导电体；其中，相邻两个第1沟槽之间的第一间隔小于相邻两个第2沟槽之间的第二间隔；以及肖特基电极，其与第1沟槽之间和第2沟槽之间的半导体基板的表面连接。由此，即使在产生击穿时也能够减小对半导体装置的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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