[发明专利]一种漂移探测器的制备方法及漂移探测器有效
申请号: | 201911155931.8 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN110854223B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 许高博;殷华湘;翟琼华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/115;H01L31/18 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种漂移探测器的制备方法,包括,在衬底的两面分别形成第一掩蔽层和第二掩蔽层,选择性去除第一掩蔽层和第二掩蔽层以形成第一隔离区和第二隔离区,对第一隔离区进行离子掺杂形成第一掺杂隔离区,在第一掺杂隔离区和第二隔离区表面分别形成第一隔离层和第二隔离层,去除第一掩蔽层以形成阳极区和漂移环区,去除第二掩蔽层以形成收集区;对阳极区、漂移环区和收集区分别进行离子掺杂并退火;在阳极区、漂移环区和收集区形成介质层及接触孔;在接触孔中形成金属引线。本发明通过设计第一掺杂隔离区与漂移环区之间不同的掺杂类型,避免漂移环区之间的漏电,实现高击穿电压和低暗电流。本发明还提供一种应用上述制备方法得到的漂移探测器。 | ||
搜索关键词: | 一种 漂移 探测器 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的