[发明专利]功率MOSFET器件及其制造方法在审

申请号：	201911109805.9	申请日：	2019-11-14
公开（公告）号：	CN110797263A	公开（公告）日：	2020-02-14
发明（设计）人：	张军亮;刘琦;张园园;徐西昌	申请（专利权）人：	龙腾半导体有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08
代理公司：	61114 西安新思维专利商标事务所有限公司	代理人：	李罡
地址：	710018 陕西省西安市未***	国省代码：	陕西;61
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摘要：	本发明涉及一种功率MOSFET器件及其制造方法，步骤为：在N+Sub上生长外延层N‑epi；生长场氧化层，在有源区刻蚀场氧化层，在终端区注入P+并退火；在有源区生长屏蔽氧化层，注入杂质磷形成JFET区；在外延层生长牺牲氧化层并腐蚀，热氧化生长栅氧化层；在栅氧化层之上淀积多晶硅并刻蚀；在栅氧化层和多晶硅上注入Boron离子形成自对准的P阱；对PW进行热氧化推结；N+注入，形成自对准的源极N+区；N+退火处理；淀积LPSIN并进行源极P+高能注入；层间介质ILD淀积；接触孔刻蚀，Ti/TiN淀积；正面金属淀积并刻蚀；衬底减薄，背面注入，背面金属淀积，合金化，形成完整器件结构。本发明将closed结构改为open结构，采用LPSIN掩蔽的源极P+注入，提高了器件的通流能力。
搜索关键词：	淀积栅氧化层刻蚀源极生长金属淀积多晶硅外延层自对准源区背面功率MOSFET器件退火掩蔽屏蔽氧化层热氧化生长牺牲氧化层层间介质场氧化层衬底减薄离子形成器件结构通流能力退火处理合金化接触孔刻蚀场热氧化氧化层杂质磷终端区推结腐蚀制造
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【主权项】：

1.功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于：/n所述方法包括以下步骤：/n步骤1：选取N+ Sub作为制作VDMOS外延层的衬底片；/n步骤2：在所选取的N+ Sub上面生长外延层N-epi；/n步骤3：在所生长的N-epi外延层上部生长一层场氧化层，并在器件有源区刻蚀场氧化层，在终端区注入P+并退火；/n步骤4：在器件有源区生长一层屏蔽氧化层，之后注入杂质磷形成JFET区；/n步骤5：在外延层上表面生长牺牲氧化层并腐蚀，之后热氧化生长栅氧化层；/n步骤6：在栅氧化层之上淀积多晶硅并刻蚀形成多晶栅极；/n步骤7：在栅氧化层和多晶硅的上表面注入Boron离子形成自对准的P阱；/n步骤8：对PW进行热氧化推结；/n步骤9：N+注入，形成自对准的源极N+区；/n步骤10：N+退火处理；/n步骤11：淀积LPSIN并进行源极P+高能注入；/n步骤12：层间介质ILD淀积；/n步骤13：接触孔刻蚀，Ti/TiN淀积；/n步骤14：正面金属淀积并刻蚀；/n步骤15：衬底减薄，背面注入，背面金属淀积，合金化，形成完整器件结构。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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