[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201911004932.2 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111384176B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 谢克·麦斯坦巴雪;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，包括第一导电型阱、第二导电型阱、源极区域、漏极区域以及多晶硅环栅极结构。第一导电型阱配置于第一导电型衬底中。第二导电型阱配置于第一导电型阱旁边且被第一导电型阱环绕。源极区域配置于第一导电型阱中。漏极区域配置于第二导电型阱中。多晶硅环栅极结构配置于第一导电型阱及第二导电型阱上方，位于源极区域及漏极区域之间且环绕漏极区域。源极区域与第二导电型阱之间在第一方向上的距离小于或等于在第二方向上的距离，第一方向与第二方向垂直，且第二方向为多晶硅环栅极结构的长边方向。本发明除了能够维持较高的电流，更可最小化波动，阀值电压以及线性区间漏极电流在X方向及Y方向上均能够较佳地受到控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技股份有限公司，未经新唐科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911004932.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
