[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

第一导电型阱，配置于第一导电型衬底上；

第二导电型阱，配置于所述第一导电型阱旁边且被所述第一导电型阱环绕；

源极区域，配置于所述第一导电型阱中；

漏极区域，配置于所述第二导电型阱中；以及

多晶硅环栅极结构，配置于所述第一导电型阱及所述第二导电型阱上方，位于所述源极区域及所述漏极区域之间且环绕所述漏极区域，

其中所述源极区域与所述第二导电型阱之间在第一方向上的距离小于在第二方向上的距离，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第二方向为所述多晶硅环栅极结构的长边方向。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，更包括第一导电型掺杂区，配置于所述第一导电型阱中。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，更包括隔离结构，配置于所述源极区域与所述第一导电型掺杂区之间。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述源极区域及所述漏极区域为第二导电型掺杂区。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述多晶硅环栅极结构包括栅极以及位于所述栅极与所述第一导电型衬底之间的栅极氧化层。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极氧化层在所述第一方向上的厚度小于或等于在所述第二方向上的厚度。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极氧化层在所述第一方向上的厚度为至在所述第二方向上的厚度为至

8.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极氧化层在所述第二方向上包括第一区域以及第二区域，所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度，所述第一区域位于所述第一导电型阱上方，所述第二区域位于所述第二导电型阱上方。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述源极区域与所述第二导电型阱之间在所述第一方向上的距离为0.4um至3um，在所述第二方向上的距离为0.4um至5um。

10.一种半导体元件，其特征在于，包括：

第一导电型阱，配置于第一导电型衬底上；

第二导电型阱，配置于所述第一导电型阱旁边且被所述第一导电型阱环绕；

源极区域，配置于所述第一导电型阱中；

漏极区域，配置于所述第二导电型阱中；以及

多晶硅环栅极结构，配置于所述第一导电型阱及所述第二导电型阱上方，位于所述源极区域及所述漏极区域之间且环绕所述漏极区域，其中所述多晶硅环栅极结构包括栅极以及位于所述栅极与所述第一导电型衬底之间的栅极氧化层，

其中所述源极区域与所述第二导电型阱之间在第一方向上的距离等于在第二方向上的距离，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第二方向为所述多晶硅环栅极结构的长边方向，

其中所述栅极氧化层在所述第一方向上的厚度小于在所述第二方向上的厚度。