[发明专利]半导体晶片的清洗槽及清洗方法有效
申请号: | 201910973350.9 | 申请日: | 2019-10-14 |
公开(公告)号: | CN111383950B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 今城宽纪 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱美红;傅永霄 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能够将半导体晶片的周缘部更均匀地清洗的半导体晶片的清洗槽及清洗方法。一种半导体晶片(W)的清洗槽,是将多片半导体晶片(W)浸渍到清洗液而清洗的半导体晶片的清洗槽(1),具备:槽主体(11),在上部具有开口部(11a),收容多片半导体晶片(W)并储存清洗液;以及多个晶片导引部(32),在表面设置有多个槽口(S),上述多个槽口(S)由第1侧面部(32a)和第2侧面部(32b)划定,且上述多个槽口(S)立设支承半导体晶片(W);一边使清洗液从槽主体(11)的开口部(11a)溢流一边将多片半导体晶片(W)清洗,其特征在于,在第1侧面部(32a)及第2侧面部(32b)的各自设置有将清洗液喷射的清洗液喷射口(32c)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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