[发明专利]半导体晶片的清洗槽及清洗方法

说明书

本发明提供能够将半导体晶片的周缘部更均匀地清洗的半导体晶片的清洗槽及清洗方法。一种半导体晶片（W）的清洗槽，是将多片半导体晶片（W）浸渍到清洗液而清洗的半导体晶片的清洗槽（1），具备：槽主体（11），在上部具有开口部（11a），收容多片半导体晶片（W）并储存清洗液；以及多个晶片导引部（32），在表面设置有多个槽口（S），上述多个槽口（S）由第1侧面部（32a）和第2侧面部（32b）划定，且上述多个槽口（S）立设支承半导体晶片（W）；一边使清洗液从槽主体（11）的开口部（11a）溢流一边将多片半导体晶片（W）清洗，其特征在于，在第1侧面部（32a）及第2侧面部（32b）的各自设置有将清洗液喷射的清洗液喷射口（32c）。

技术领域

本发明涉及半导体晶片的清洗槽及清洗方法。

背景技术

一般，以硅晶片为代表的半导体晶片经过培育单晶锭、将培育成的单晶锭切断为块后较薄地切片、粗研磨（研磨（lapping））、倒角、镜面研磨（抛光）、腐蚀（etching）等工序而制造。

在上述工序中，发生半导体晶片的研磨粉等微粒，附着到半导体晶片而表面污染。这样的污染不仅使半导体晶片的品质下降，还使半导体设备产生缺陷或引起设备特性的下降，使半导体设备的成品率降低。因此，为了减少半导体晶片表面的污染，一般使用酸或碱等腐蚀液或纯水等清洗液进行半导体晶片的清洗。

图1（a）表示一般的将半导体晶片清洗的清洗槽的一例。该图所示的半导体晶片的清洗槽100是将多片（例如25片）半导体晶片W浸渍到清洗液而一次清洗的批量式的清洗槽，具备槽主体11、多个晶片导引部12和清洗液供给部13。

槽主体11在上部具有开口部11a，在内部收容多片半导体晶片W，并且储存将半导体晶片W清洗的清洗液。此外，晶片导引部12如图1（b）所示，在其表面以规定的间隔（例如10mm）设置有由第1侧面部12a和第2侧面部12b区划的多个槽口（slot）S，构成为，在各槽口S将半导体晶片W立设支承。图1（b）所例示的槽口S其截面具有V字状的形状。

进而，清洗液供给部13构成为，从半导体晶片W的下方供给清洗液，使得清洗液从半导体晶片W的下方朝向上方流动，一边使其从槽主体11的开口部11a溢流一边将多片半导体晶片W清洗。

在这样的溢流型的批量式清洗槽100的情况下，由于清洗液供给部13被配置在晶片导引部12的下方，所以存在来自清洗液供给部13的清洗液的流动停滞的区域（以下称作“死区”），有不能将半导体晶片W的周缘部均匀地清洗的问题。

所以，在专利文献1中，如图2所示，记载了以下这样的清洗槽：在晶片导引部22由第1侧面部22a和第2侧面部22b划定截面为V字型的槽口S；在槽口S间的凸部22c设置清洗液喷射口22d而将清洗液喷射，从而使清洗槽内的清洗液的流动更均匀，将半导体晶片W更均匀地清洗。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2012－507881号公报。

发明内容

发明要解决的课题

但是，在专利文献1所记载的清洗槽中，在配置在槽口S的半导体晶片W与第1侧面部22a及第2侧面部22b之间依然存在死区D，不能将半导体晶片W的周缘部均匀地清洗。

本发明是鉴于上述课题而做出的，其目的在于提供能够将半导体晶片的周缘部更均匀地清洗的半导体晶片的清洗槽及清洗方法。

用来解决课题的手段

解决上述课题的本发明是以下这样的。