[发明专利]一种新型电镀法制作大锡球方法在审
| 申请号： | 201910924314.3 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110739237A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;冯光建;王志宇;陈华;张兵 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C25D5/02;C25D7/12 |
| 代理公司： | 33283 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型电镀法制作大锡球方法，具体包括如下步骤：101)辅助层制作步骤、102)曝光步骤、103)电镀步骤、104)大锡球制作步骤；本发明提供双层胶曝光的方式制作的一种新型电镀法制作大锡球方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 锡球 制作 曝光步骤 辅助层 双层胶 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种新型电镀法制作大锡球方法，其特征在于：具体包括如下步骤：/n101)辅助层制作步骤：载板上表面通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺制作种子层；在种子层上方制作第一光刻胶层，第一光刻胶层厚度范围在1um到100um，其制作方式采用旋涂工艺或喷涂工艺；在第一光刻胶层上面制作第二光刻胶层形成辅助层；其中，第二光刻胶层制作方式、厚度和第一光刻胶层相同；/n102)曝光步骤：通过曝光工艺曝光辅助层，然后通过第二次曝光工艺只曝光第二光刻胶层；/n103)电镀步骤：通过显影工艺去除曝光的辅助层的部分第一光刻胶层和第二光刻胶层，使得露出互联焊盘的电镀金属位置；电镀金属沉积，金属采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合，金属沉积采用一层或多层结构；/n104)大锡球制作步骤：通过湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺去除辅助层，再通过湿法腐蚀工艺去除种子层；对载板上表面涂布助焊剂，通过回流焊，清洗助焊剂得到大锡球。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
