[发明专利]半导体处理设备有效
| 申请号: | 201910894524.2 | 申请日: | 2019-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN110629200B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
| 发明(设计)人: | 王祥;彭海;陈亮;胡兵;奚明 | 申请(专利权)人: | 理想晶延半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/513;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
| 地址: | 201620 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种半导体处理设备,包括管式沉积腔体、收容于所述管式沉积腔体的载片单元、气体供应单元和移动单元。所述载片单元的第一支撑端还包括旋转驱动单元,所述旋转驱动单元用于驱动所述载片单元在所述管式沉积腔体内旋转,使得所述载片单元无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待处理衬底中的任意一个或两个处于待镀状态,简化了工艺流程,提高了生产效率并降低了运营成本,避免了由于在所述管式沉积腔体外进行硅片的重复装片而影响良率的问题。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体处理设备,包括管式沉积腔体、收容于所述管式沉积腔体的载片单元、气体供应单元、移动单元,所述移动单元用于移动所述载片单元进出所述管式沉积腔体,其特征在于,所述载片单元包括本体部、形成于所述本体部上的若干收容部、位于所述本体部两端的第一支撑端与第二支撑端,所述收容部用以收容待处理衬底,所述第一支撑端还包括旋转驱动单元,所述旋转驱动单元用于驱动所述载片单元在所述管式沉积腔体内旋转。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





