[发明专利]半导体处理设备

权利要求书

1.一种半导体处理设备，包括管式沉积腔体、收容于所述管式沉积腔体的载片单元、气体供应单元、移动单元，所述移动单元用于移动所述载片单元进出所述管式沉积腔体，其特征在于，所述载片单元包括本体部、形成于所述本体部上的若干收容部、位于所述本体部两端的第一支撑端与第二支撑端，所述收容部用以收容待处理衬底，所述第一支撑端还包括旋转驱动单元，所述旋转驱动单元用于驱动所述载片单元在所述管式沉积腔体内旋转。

2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述收容部包括相对设置的第一基片承载面与第二基片承载面，所述第一基片承载面和所述第二基片承载面均具有实心承载区，在所述载片单元旋转到第一位置时，所述第一基片承载面承载所述待处理衬底的第一面，当所述载片单元旋转到第二位置时，所述第二基片承载面承载所述待处理衬底的第二面。

3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备为PECVD沉积设备，所述载片单元与等离子体供应电源活动连接。

4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述等离子体供应电源包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极的材料为金属导电材料，所述第一电极和所述第二电极相对所述载片单元伸缩，所述第一电极和所述第二电极形成正负电极；

当所述旋转驱动单元驱动所述载片单元旋转时，所述第一电极和所述第二电极远离所述载片单元；

当所述载片单元旋转到所述第一位置或所述第二位置后，所述第一电极与所述第二电极伸出并与所述载片单元连接，以在所述管式沉积腔体内产生等离子体。

5.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述旋转驱动单元包括旋转驱动部以及绝缘件，所述旋转驱动部通过所述绝缘件与所述载片单元相连接且与所述载片单元电绝缘。

6.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述管式沉积腔体包括圆筒部以及设置于圆筒部两端的第一端面与第二端面，所述第一端面包括第一连接部，以连接所述第一支撑端，所述第二端面包括第二连接部，以连接所述第二支撑端，从而将所述载片单元悬空支撑于所述管式沉积腔体内。

7.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述旋转驱动部包括主动轮和从动轮，所述从动轮与所述本体部电绝缘，且设置于所述本体部的一端，所述主动轮远离所述载片单元并驱动所述从动轮旋转。

8.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一支撑端包括第一连接杆，所述第一连接杆的一端与所述主动轮连接，所述第一连接杆的另一端与所述第一连接部连接。

9.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其特征在于，所述旋转驱动部还包括与所述从动轮连接的支撑轮，所述第一支撑端还包括第二连接杆，所述第二连接杆一端与所述支撑轮连接，所述第二连接杆另一端与所述第一连接部连接。

10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述主动轮、所述从动轮均设置有齿轮，所述主动轮驱动所述从动轮旋转，所述从动轮还具有光滑部，所述支撑轮具有光滑接触部以与所述光滑部接触，支撑所述载片单元。

11.根据权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，所述旋转驱动单元还包括绝缘件，所述绝缘件设置于所述从动轮与所述本体部之间，以使所述从动轮与所述本体部不发生电性接触。

12.根据权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一端面包括活动腔门，所述活动腔门设置有电极伸缩部，所述电极伸缩部为波纹管结构以驱动所述第一电极和所述第二电极伸缩运动。