[发明专利]半导体处理设备

说明书

本发明提供了一种半导体处理设备，包括管式沉积腔体、收容于所述管式沉积腔体的载片单元、气体供应单元和移动单元。所述载片单元的第一支撑端还包括旋转驱动单元，所述旋转驱动单元用于驱动所述载片单元在所述管式沉积腔体内旋转，使得所述载片单元无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待处理衬底中的任意一个或两个处于待镀状态，简化了工艺流程，提高了生产效率并降低了运营成本，避免了由于在所述管式沉积腔体外进行硅片的重复装片而影响良率的问题。

技术领域

本发明涉及晶硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种半导体处理设备。

背景技术

晶硅太阳能电池是光伏行业的主导产品，通过优化其生产工艺和结构，目前已经研制出了诸如钝化发射极背场点接触电池(Passivated Emitter and Rear Cell，PERC)、钝化发射极背接触电池(Passivated Emitter Solar Cell，PESC)以及钝化发射极背部局域扩散(Passivated Emitter and Rear Locally-diffused，PERL)电池等高效电池，光电转化效率均能接近20％甚至高于20％，具有良好的应用前景。

随着晶硅太阳能电池在光电转化效率上的突破，从产业化应用的角度讲，提高设备的产能以及产品的良率是至关重要的。现有技术中的PERC减反射膜沉积过程通常是先将待处理的硅片进行装片，送入工艺腔中对其中一面进行减反射层沉积后降温出腔，再对待处理硅片进行翻面和重新装片，然后送入工艺腔中对另外一面进行减反射层沉积。上述工艺流程中，对硅片的翻面和重新装片以及对工艺腔内进行升降温处理使得工艺流程繁琐，不利于提高生产效率。更重要的是，对硅片的重复装片容易影响产品的良率，不利于光电转化效率的提高。

因此，需要开发一种新型的半导体处理设备以避免现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体处理设备，以避免现有技术中存在的由于在工艺腔外进行硅片的重复装片，使得工艺流程繁琐而不利于提高生产效率以及容易影响良率的问题。

为实现上述目的，本发明的所述半导体处理设备包括管式沉积腔体、收容于所述管式沉积腔体的载片单元、气体供应单元和移动单元，所述移动单元用于移动所述载片单元进出所述管式沉积腔体，所述载片单元包括本体部、形成于所述本体部上的若干收容部、位于所述本体部两端的第一支撑端与第二支撑端，所述收容部用以收容待处理衬底，所述第一支撑端还包括旋转驱动单元，所述旋转驱动单元用于驱动所述载片单元在所述管式沉积腔体内旋转。

本发明所述半导体处理设备的有益效果在于：所述载片单元的所述第一支撑端还包括所述旋转驱动单元，所述旋转驱动单元用于驱动所述载片单元旋转使得所述载片单元无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待处理衬底中的任意一个或两个处于待镀状态，简化了工艺流程，提高了生产效率并降低了运营成本，避免了由于在所述管式沉积腔体外进行硅片的重复装片而影响良率的问题。

优选的，所述收容部由位于所述本体部上相对设置的第一基片承载面与第二基片承载面以及形成于第一基片承载面与第二基片承载面之间的第三面围设形成，所述第一基片承载面、所述第二基片承载面均为实心承载区，在所述载片单元旋转到第一位置时，所述第一基片承载面承载所述待处理衬底第一面，当所述载片单元旋转到第二位置时，所述第二基片承载面承载所述待处理衬底第二面。其有益效果在于：有利于通过所述旋转驱动单元驱动所述载片单元进行的旋转的过程中，所述待处理衬底在所述第一基片承载面或所述第二基片承载面之间切换位置，使得所述载片单元无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待处理表面中的任意一个或两个处于待镀状态。

优选的，所述半导体处理设备为PECVD沉积设备，所述载片单元与等离子体供应电源活动连接。其有益效果在于：使适用于PECVD的应用。