[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910892724.4 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542381A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张前江;苏波;窦涛;孙林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始掩膜层；在初始掩膜层上形成暴露出部分初始掩膜层的图形化结构；在图形化结构侧壁表面形成阻挡层；以图形化结构和阻挡层为掩膜，对初始掩膜层进行离子掺杂处理，在初始掩膜层内形成掺杂区与未掺杂区。去除图形化结构与阻挡层；在去除图形化结构与阻挡层之后，去除未掺杂区，在所述待刻蚀层表面形成掩膜层，掩膜层内具有暴露出待刻蚀层的顶部表面的第一开口，通过在图形化结构侧壁表面形成阻挡层，能够有效阻挡掺杂离子进入到图形化结构内，进而扩散至未掺杂区，使未掺杂区减小，利用阻挡层有效提升了未掺杂区与图形化结构一致性，进而提升了图案转移的精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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