[发明专利]二维材料异质结背栅负电容隧穿晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201910881440.5 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110649092A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李伟;汪钰成;关赫;汪瑛 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/267;H01L29/47;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/331 |
| 代理公司： | 61222 西安利泽明知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林兵 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种二维材料异质结背栅负电容隧穿晶体管，包括：半导体衬底(1)、第一高k介质层(2)、铁电材料层(3)、第二高k介质层(4)、第一二维材料层(5)、第二二维材料层(6)、金属源电极(7)、金属漏电极(8)，其充分发挥了负电容和二维材料的优势，提高了隧穿场效应晶体管的开态电流，降低了隧穿场效应晶体管的关态电流；还公开了一种二维材料异质结背栅负电容隧穿晶体管的制备方法，包括各材料层的生长方法，由于采用背栅结构，该器件制备工艺简单，与传统的半导体工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 电容 隧穿场效应晶体管 隧穿晶体管 高k介质层 异质结 背栅 半导体器件技术 器件制备工艺 半导体工艺 金属源电极 铁电材料层 背栅结构 关态电流 开态电流 材料层 传统的 漏电极 衬底 制备 半导体 兼容 金属 生长 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料异质结背栅负电容隧穿晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底(1)、第一高k介质层(2)、铁电材料层(3)、第二高k介质层(4)、第一二维材料层(5)、第二二维材料层(6)、金属源电极(7)、金属漏电极(8)；所述半导体衬底(1)置于最底层；所述第一高k介质层(2)、铁电材料层(3)、第二高k介质层(4)、第一二维材料层(5)从下到上依次叠放；所述第二二维材料层(6)、金属源电极(7)分别置放于第一二维材料层(5)上表面；所述金属漏电极(8)置放于第二二维材料层(6)上表面。/n
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