[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910844141.4 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110896070B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 清水康贵;宫崎裕二;冈田一也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够检测组装后的缓冲用基板的耐压性的技术。半导体装置具备：缓冲用基板(6)，其以与P电极(2)以及N电极(3)分离的状态固定于基座(1)之上；缓冲电路(5)，其配置于缓冲用基板(6)之上，与P电极(2)以及N电极(3)电连接；以及半导体元件(8)，其与缓冲电路(5)电连接。基座(1)包含使P电极(2)、N电极(3)以及缓冲用基板(6)彼此绝缘的绝缘部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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