[发明专利]蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910825559.0 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110885685B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 金用泰;林廷训;金秀珍;吴政玟;田昇敏;全夏英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;C09K13/00;H01L21/306;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 使用 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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