[发明专利]蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法

说明书

提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2018年9月7日提交的韩国专利申请No.10-2018-0107126的优先权权益，通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本公开在此涉及一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法，更具体地，涉及一种用于蚀刻半导体层的蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。

背景技术

为了提供消费者所需的高性能和低成本，需要提高半导体器件的集成度和改善半导体器件的可靠性。随着半导体器件的集成度的提高，在半导体器件的制造工艺期间半导体器件的构成元件的损坏更多地影响半导体存储器件的可靠性和电性质。尤其是，在半导体器件的制造工艺期间，需要保持蚀刻目标层材料相对于其他层材料的高蚀刻选择性。

发明内容

本公开提供了一种相对于含锗层具有高蚀刻选择性的蚀刻组合物。

本公开还提供了一种制造具有改善的电性质的半导体器件的方法。

根据一些示例实施例，本公开涉及一种蚀刻组合物，其包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。

根据一些示例实施例，本公开涉及一种蚀刻组合物，其包括：过乙酸；氟化合物；大约0.01重量％至大约5重量％的胺化合物；以及有机溶剂。

根据一些示例实施例，本公开涉及一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备设置有含锗层的衬底；以及使用蚀刻组合物对所述含锗层执行蚀刻工艺，以去除所述含锗层，其中，所述蚀刻组合物包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。

附图说明

包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，附图并入到本说明书中，并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明构思的示例性实施例，并与描述一起用来说明本发明构思的原理。在附图中：

图1A是用于说明使用根据示例实施例的蚀刻组合物的蚀刻工艺的图；

图1B是用于说明使用根据示例实施例的蚀刻组合物的蚀刻工艺的图；

图2是根据示例实施例的半导体器件的俯视图；

图3A至图3H是用于说明根据示例实施例的用于制造半导体器件的方法的图。

具体实施方式

在本公开中，“取代的或未取代的”可以指被从由氢原子、氘原子、卤素原子、环烷基、芳基、杂芳基、杂脂环基、羟基、烷氧基、芳氧基、巯基、烷硫基、芳硫基、氰基、羰基、硫代羰基、O-氨基甲酰基、N-氨基甲酰基、O-硫代氨基甲酰基、N-硫代氨基甲酰基、C-酰氨基、N-酰氨基、S-磺酰胺基、N-磺酰胺基、C-羧基、O-羧基、异氰酸根合、硫氰酸根合、异硫氰酸根合、硝基、甲硅烷基、三卤甲烷磺酰基、氨基(包括单取代的和双取代的氨基)和它们的衍生物组成的组中选择的至少一种取代基取代或者未被取代。另外，每个取代基可以是取代的或未取代的。例如，甲氨基可以取代有氨基。

在本公开中，烷基可以是直链烷基、支链烷基或环烷基。烷基的碳数不受具体限制，而可以为1至12个碳原子。

在本公开中，胺基/氨基的碳数不受具体限制，而可以为1至12个。胺可以包括1至12个碳原子的脂族胺和5至12个碳原子的环胺中的至少一种。

在下文中，将说明根据本发明构思的示例蚀刻组合物。