[发明专利]蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包括：

15重量%至75重量%的过乙酸；

0.01重量%至5重量%的氟化合物；

0.01重量%至5重量%的胺化合物；以及

5重量%至15重量%的有机溶剂，

其中，所述氟化合物包括HF、NaF、KF、AlF₂、LiF₄、CaF₃、NaHF₆、NH₄F、NH₄HF₂、(CH₃)₄NF、KHF₂、HBF₄、NH₄BF₄、KBF₄和H₂SiF₆中的至少一种，

所述胺化合物是1至5个碳原子的脂族胺，并且

所述有机溶剂包括1至5个碳原子的羧酸化合物和1至10个碳原子的醇化合物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物还包括乙酸和水。

3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物还包括老化催化剂，其中，所述老化催化剂包括硫酸和甲磺酸中的至少一种。

4.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

制备设置有含锗层的衬底；以及

使用蚀刻组合物对所述含锗层执行蚀刻工艺，以去除所述含锗层，

其中，所述蚀刻组合物包括：

15重量%至75重量%的过乙酸；

0.01重量%至5重量%的氟化合物；

0.01重量%至5重量%的胺化合物；以及

5重量%至15重量%的有机溶剂，

其中，所述氟化合物包括HF、NaF、KF、AlF₂、LiF₄、CaF₃、NaHF₆、NH₄F、NH₄HF₂、(CH₃)₄NF、KHF₂、HBF₄、NH₄BF₄、KBF₄和H₂SiF₆中的至少一种，

所述胺化合物是1至5个碳原子的脂族胺，并且

所述有机溶剂包括1至5个碳原子的羧酸化合物和1至10个碳原子的醇化合物中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，在所述衬底上进一步设置含硅层，

其中，在所述蚀刻工艺期间，所述含锗层比所述含硅层具有更高的蚀刻速率。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述含硅层为硅层或氧化硅层。

7.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中，制备所述衬底包括：

在所述衬底上形成有源图案；

在所述有源图案上形成牺牲栅极结构；

形成覆盖所述牺牲栅极结构的绝缘中间层；以及

去除所述牺牲栅极结构以在所述绝缘中间层中形成开口，所述开口暴露所述有源图案，

其中，对由所述开口暴露的所述有源图案执行所述蚀刻工艺。

8.根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，所述有源图案包括交替堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案，

其中，每个所述第一半导体图案包括所述含锗层，

其中，在所述蚀刻工艺之后，所述第一半导体图案被去除，从而在所述第二半导体图案之间形成栅极区域。