[发明专利]基于异质结薄膜光源的光耦、其放大集成电路及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO₂薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO₂薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。

主权项

1.一种基于异质结薄膜光源的光耦，其特征在于：包括制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO₂薄膜光源、第一介质层和硅光探测器；所述第一衬底中注入有第一深P阱以及与第一深P阱相连的第一高深宽比P阱和第二高深宽比P阱，第一深P阱、第一高深宽比P阱和第二高深宽比P阱相连形成第一岛，第一岛的上部嵌有第一薄P⁺阱；第一衬底的上表面生长覆盖有第一SiO₂层，在第一薄P⁺阱上方的第一SiO₂层中嵌有与第一SiO₂层厚度相等的TiO₂薄膜层，TiO₂薄膜层的宽度小于第一薄P+阱的宽度，TiO₂薄膜层上淀积有与其自身宽度相同的第一ITO薄膜层；光源正极从第一薄P⁺阱引出，光源负极从第一ITO薄膜层引出；所述第一衬底是n型硅衬底。