[发明专利]应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层在审
| 申请号： | 201910677591.9 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110491957A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘建庆;高熙隆;文宏;刘雪珍;刘恒昌 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/041;H01L31/0687;H01L31/0693 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯炳辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底(或与衬底晶格常数相同的外延层)之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本发明将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中，既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度，又可以充分发挥反射镜的作用，同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗，有利于降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格失配 晶格渐变缓冲层 半导体材料层 太阳能电池 晶格常数 外延材料 复合 两层 原材料损耗 衬底晶格 反射波段 工艺步骤 梯度变化 外延生长 应变补偿 有机融合 生长 反射镜 外延层 折射率 衬底 叠置 对叠 宽谱 失配 时长 位错 反射 引入 应用 | ||
【主权项】：
1.应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，其特征在于：所述晶格渐变缓冲层位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底之间，或晶格失配外延材料与衬底晶格常数相同的外延层之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
