[发明专利]Ⅲ族氮化物量子阱-金属-量子点混合白光LED器件在审
| 申请号： | 201910587166.0 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110379897A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 庄喆;姜海涛;张雄;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 许小莉 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种Ⅲ族氮化物量子阱‑金属‑量子点混合结构混合白光LED器件，包括衬底，生长在所述衬底上的氮化物量子阱平面结构，生长在所述氮化物量子阱平面结构上的金属纳米层‑量子点混合结构或者金属纳米颗粒‑量子点混合结构，p型电极，n型电极；所述氮化物量子阱平面结构包括生长在衬底上的n型金属氮化物层；生长在n型金属氮化物层上的量子阱有源层；生长在量子阱有源层上的p型金属氮化物层，所述n型金属氮化物层上制作有n型电极。本发明能够实现更大间距范围内的共振能量转移和更快的能量转移速率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱 氮化物层 量子点 混合结构 平面结构 生长 氮化物 衬底 量子阱有源层 白光LED器件 Ⅲ族氮化物 共振能量转移 金属纳米颗粒 金属 金属纳米层 能量转移 制作 | ||
【主权项】：
1.一种Ⅲ族氮化物量子阱‑金属‑量子点混合结构混合白光LED器件，其特征在于，包括衬底，生长在所述衬底上的氮化物量子阱平面结构，生长在所述氮化物量子阱平面结构上的金属纳米层‑量子点混合结构或者金属纳米颗粒‑量子点混合结构，p型电极，n型电极；所述氮化物量子阱平面结构包括生长在衬底上的n型金属氮化物层；生长在n型金属氮化物层上的量子阱有源层；生长在量子阱有源层上的p型金属氮化物层，所述n型金属氮化物层上制作有n型电极。
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