[发明专利]存储器装置和系统、集成电路的制造方法在审
| 申请号： | 201910568567.1 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110659224A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 林仲德;何彦忠;许秉诚;蔡瀚霆;姜慧如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/0897 | 分类号： | G06F12/0897;G06F12/0895 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 集成电路芯片的实施例包括集成在芯片中的组合处理核心和磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路。MRAM电路包括多个MRAM单元。多个MRAM组织为多个存储器，包括高速缓存存储器、主存储器或工作存储器以及可选的二级储存存储器。高速缓存存储器包括多个高速缓存级别。本申请的实施例还涉及存储器装置和系统、集成电路的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高速缓存存储器 电路 磁阻式随机存取存储器 高速缓存级别 集成电路芯片 储存存储器 存储器装置 工作存储器 主存储器 组合处理 存储器 可选的 集成电路 芯片 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：/n集成电路芯片；/n至少一个处理核心，集成在所述集成电路芯片中；以及/n至少一个磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路，集成在所述集成电路芯片中并通信耦合至所述至少一个处理核心，所述至少一个磁阻式随机存取存储器电路包括多个磁阻式随机存取存储器单元，其中，所述至少一个磁阻式随机存取存储器电路在操作中实施：/n至少一个高速缓存存储器；以及/n至少一个主存储器。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910568567.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于延迟的不规则载荷的预取器
- 下一篇：内存管理方法以及相关装置
