[发明专利]穿隧式磁阻的感测装置及其感测方法有效
| 申请号： | 201410468587.9 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN104681078B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 林嘉亮 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 苏捷,向勇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种穿隧式磁阻的感测装置包含磁性随机存取存储器阵列、参考单元及感测放大器闩锁电路。磁性随机存取存储器阵列包含校正单元与多个数据单元。多个数据单元则用以储存使用者数据。参考单元由控制信号控制。感测放大器闩锁电路比较于磁性随机存取存储器阵列的一受选磁性随机存取存储器单元的阻抗与参考单元的阻抗，并依据比较的结果输出逻辑信号。其中，校正单元、多个数据单元与参考单元中的每一者为一磁性存取存储器单元，并且控制信号是通过在校正程序中比较校正单元的阻抗与参考单元的阻抗来建立。 | ||
| 搜索关键词： | 穿隧式 磁阻 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种穿隧式磁阻的感测装置，包含：一磁性随机存取存储器阵列，包含：一校正单元；及多个数据单元，用以储存使用者数据；一参考单元，由一控制信号控制，其中该校正单元、该些数据单元以及该参考单元中的每一者为一磁性随机存取存储器单元，并且该控制信号是通过在一校正程序中比较该校正单元的阻抗与该参考单元的阻抗来建立；及一感测放大器闩锁电路，用以比较于该磁性随机存取存储器阵列的该些磁性随机存取存储器单元中的一受选磁性随机存取存储器单元的阻抗与该参考单元的阻抗，并依据比较的结果输出一逻辑信号。
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