[发明专利]存储器装置和系统、集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

集成电路芯片；

至少一个处理核心，集成在所述集成电路芯片中；以及

至少一个磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路，集成在所述集成电路芯片中并通信耦合至所述至少一个处理核心，所述至少一个磁阻式随机存取存储器电路包括多个磁阻式随机存取存储器单元，其中，所述至少一个磁阻式随机存取存储器电路在操作中实施：

至少一个高速缓存存储器；以及

至少一个主存储器。

2.根据权利要求1所述的装置，包括：

集成在所述集成电路芯片中的至少一个存储器管理电路。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述至少一个存储器管理电路的至少一部分定位在所述至少一个磁阻式随机存取存储器电路的至少部分上。

4.根据权利要求2所述的装置，包括：

多组存储器控制线，耦合在所述至少一个存储器管理电路和至少一个磁阻式随机存取存储器电路的多个磁阻式随机存取存储器单元的相应单元组之间。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述至少一个磁阻式随机存取存储器电路在操作中实施至少一个二级储存存储器。

6.根据权利要求1所述的装置，包括：

芯片接口；以及

片上总线系统，在操作中将所述至少一个处理核心、所述至少一个磁阻式随机存取存储器电路和所述芯片接口通信耦合在一起。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述至少一个高速缓存存储器包括一级高速缓存、二级高速缓存和三级高速缓存。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述至少一个高速缓存存储器包括指令高速缓存和数据高速缓存。

9.一种存储器系统，包括：

集成电路芯片，所述集成电路芯片具有：

处理核心，集成在所述集成电路芯片中；以及

磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路，集成在所述集成电路芯片中，所述磁阻式随机存取存储器电路包括多个磁阻式随机存取存储器单元，所述多个磁阻式随机存取存储器单元组织为包括至少一个高速缓存存储器和至少一个主存储器的多个磁阻式随机存取存储器；

功能电路；以及

系统总线，在操作中将所述功能电路通信耦合至所述集成电路芯片。

10.一种制造集成电路的方法，包括：

在衬底中形成集成电路芯片的一个或多个处理核心；以及

在所述衬底中形成所述集成电路芯片的一个或多个磁阻式随机存取存储器(MRAM)阵列，所述一个或多个磁阻式随机存取存储器阵列组织为包括至少一个高速缓存存储器和至少一个主存储器的多个存储器。