[发明专利]半导体装置

摘要

本发明实施例提供一种半导体装置，包含：第一栅极结构和第二栅极结构，各自设置于基板之上；第一导电接触件和第二导电接触件，各自设置于基板之上；第一导孔，设置于所述第一导电接触件之上；第二导孔，设置于所述第二导电接触件之上；第一栅极接触件，设置于所述第一栅极结构之上；以及介电结构，设置于所述第一栅极结构之上和第二栅极结构之上。其中，介电结构的第一部分设置于第一导孔和第二导孔之间且电性隔离第一导孔和第二导孔；介电结构的第二部分设置于第一导孔和第一栅极接触件之间且电性隔离第一导孔和第一栅极接触件；介电结构的第一部分和第二部分各自包含单一类型的介电材料；第一导电接触件和第一导孔之间的第一界面在剖面图中构成所述第一导电接触件的上表面区域的第一百分比；第一栅极结构和第一栅极接触件之间的第二界面在剖面图中构成所述第一栅极结构的上表面区域的第二百分比。所述第一百分比大于所述第二百分比。

主权项

1.一种半导体装置，包括：/n一第一栅极结构和一第二栅极结构，各自设置于一基板之上；/n一第一导电接触件和一第二导电接触件，各自设置于该基板之上；/n一第一导孔，设置于该第一导电接触件之上；/n一第二导孔，设置于该第二导电接触件之上；/n一第一栅极接触件，设置于该第一栅极结构之上；以及/n一介电结构，设置于该第一栅极结构之上和该第二栅极结构之上；/n其中：/n该介电结构的一第一部分设置于该第一导孔和该第二导孔之间且电性隔离该第一导孔和该第二导孔；/n该介电结构的一第二部分设置于该第一导孔和该第一栅极接触件之间且电性隔离该第一导孔和该第一栅极接触件；/n该介电结构的该第一部分和该第二部分分别包括一单一类型的介电材料；/n该第一导电接触件和该第一导孔之间的一第一界面在剖面图中构成该第一导电接触件的一上表面区域的一第一百分比；/n该第一栅极结构和该第一栅极接触件之间的一第二界面在该剖面图中构成该第一栅极结构的一上表面区域的一第二百分比；以及/n该第一百分比大于该第二百分比。/n