[发明专利]氮化镓化学机械抛光液及其制备方法在审
| 申请号： | 201910550088.7 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110205034A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王永光;钮市伟;寇清明;陈瑶;赵栋;朱玉广;刘卫卫 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 冯瑞 |
| 地址： | 215168 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓化学机械抛光液，由SiO2抛光液、H2O2、甘氨酸、对苯二甲酸、去离子水和pH调节剂配制而成；所述化学机械抛光液中，SiO2的浓度为5～10wt％，H2O2的浓度为0.4～0.8wt％，甘氨酸的浓度为0.5～1.5wt％，对苯二甲酸的浓度为0.1～1wt％，pH值为11～11.5。本发明还提供了所述氮化镓化学机械抛光液的制备方法。本发明的氮化镓化学机械抛光液，成分和制备工艺简单，改善了传统氮化镓抛光液污染环境、对人体有伤害等问题；并且抛光速率达一百纳米每小时以上，抛光表面粗糙度低至亚纳米级粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 化学机械抛光液 氮化镓 对苯二甲酸 粗糙度 甘氨酸 抛光液 制备 抛光表面 去离子水 亚纳米级 制备工艺 抛光 配制 伤害 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓化学机械抛光液，其特征在于，由SiO2抛光液、H2O2、甘氨酸、对苯二甲酸、去离子水和pH调节剂配制而成；所述化学机械抛光液中，SiO2的浓度为5～10wt％，H2O2的浓度为0.4～0.8wt％，甘氨酸的浓度为0.5～1.5wt％，对苯二甲酸的浓度为0.1～1wt％，pH值为11～11.5。
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- 本发明涉及精密抛光技术领域，特别是涉及一种硅溶胶基磁流变金属抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种硅溶胶基磁流变金属抛光液，包括如下组分：硅溶胶、金属表面保护剂、分散剂、pH缓冲剂、磁性粒子保护剂、所述抛光液的pH值为9‑13。本发明针对如何使抛光液与磁性粒子相互配合，克服磁性粒子本身具有的易团聚、易板结和易被腐蚀等缺点，所提供的抛光液能够解决磁流变抛光过程中出现的磁流变液板结、寿命短，抛光后表面出现划伤、异色和难清洗等问题，具有优良的产业化前景。
- 一种化学机械抛光液-201711439525.5
- 姚颖;荆建芬;卞鹏程;潘依君;李恒;宋凯;杨俊雅;马健 - 安集微电子（上海）有限公司
- 2017-12-27 - 2019-07-05 - C09G1/02
- 本发明公开了一种化学机械抛光液及其在阻挡层平坦化中的应用，所述抛光液包含研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、一种非离子表面活性剂和氧化剂。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对半导体器件表面的缺陷有很强的矫正能力，快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。
- 一种化学机械抛光液-201711439533.X
- 姚颖;卞鹏程;潘依君;荆建芬;李恒;张建;蔡鑫元;马健 - 安集微电子（上海）有限公司
- 2017-12-27 - 2019-07-05 - C09G1/02
- 本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法，该抛光液包含研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、聚乙烯吡咯烷酮和氧化剂。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对半导体器件表面的缺陷有很强的矫正能力，快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。
- 一种化学机械抛光液-201711439535.9
- 周文婷 - 安集微电子（上海）有限公司
- 2017-12-27 - 2019-07-05 - C09G1/02
- 本发明公开了一种化学机械抛光液，所述化学机械抛光液包括二氧化硅研磨颗粒和增速剂；其中，所述增速剂选为含一个或多个羧基基团的吡啶化合物、哌啶化合物、吡咯烷化合物或吡咯化合物及其衍生物，以及含一个或多个氨基基团的嘧啶化合物及其衍生物。本发明所提供的酸性化学机械抛光液能够提高氮化硅去除速率的同时提高多晶硅的抛光速率。
- 一种化学机械抛光液-201711439627.7
- 潘依君;荆建芬;张建;姚颖;宋凯;蔡鑫元;杨俊雅;卞鹏程;李恒 - 安集微电子（上海）有限公司
- 2017-12-27 - 2019-07-05 - C09G1/02
- 本发明公开了一种化学机械抛光液，所述抛光液包括研磨颗粒，一种水溶性高分子聚合物和一种非离子表面活性剂，该非离子表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮。本发明的抛光液具有优良的稳定性，并且可以在碱性条件下显著改变多晶硅的去除速率，从而实现调节多晶硅与二氧化硅的选择比，提高多晶硅的平坦化效率。
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