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[发明专利]以石墨烯键长为基准的超精密制造装备精度比对及精度补偿方法-CN201210371547.3有效
发明人：刘红忠;蒋维涛;陈邦道;丁玉成;卢秉恒 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：一种以石墨烯键长为基准的超精密制造装备精度比对及精度补偿方法，将待检测的制造装备运动元部件与石墨烯基准样品承载台进行超精密联动控制联接，通过扫描的石墨烯键长数量表征石墨烯基准样品承载台的运动长度，实时检测石墨烯基准样品承载台运动，从而计算出制造装备运动元部件亚纳米级精度的运动长度；将该亚纳米级运动精度检测信号反馈至制造装备运动元部件的运动控制系统，与制造装备运动元部件的预期运动长度相比对，进行制造装备运动元部件的运动长度闭环控制，从而实现亚纳米级精度的误差补偿。该方法能够实现超精密制造装备运动元部件的亚纳米级精度检测及亚纳米级精度补偿，在纳米/亚纳米级精度纳米制造装备实现领域，具有广阔的发展前景。
石墨烯键长基准精密制造装备精度补偿方法

[发明专利]一种亚纳米级立方碳酸钙的水热合成方法-CN200410016941.0无效
发明人：方卫民 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-03-12 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： C01F11/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚纳米级立方碳酸钙的水热合成方法，将间歇鼓泡法反应制得的纳米级碳酸钙，加入耐压不锈钢反应釜中，密闭容器中碳酸钙固含量占含水总反应质量的10～20％(w/w)，控制反应温度在120～180℃，反应时间36～144小时，冷却、过滤、干燥，从而最终制得高分散、均匀，平均粒径为300nm的亚纳米级立方碳酸钙。本发明是通过对纳米级碳酸钙进行后处理的方法，即一种亚纳米级碳酸钙的水热合成方法，寻找到一条切实可行的路径来制备窄粒径亚纳米级立方沉淀碳酸钙，使碳酸钙产品功能化发展得到新的拓展。
一种纳米立方碳酸钙合成方法

[发明专利]一种去除亚表面损伤层的加工方法-CN201811546252.9在审
发明人：廖洪平;朱一村;姜心声;张正新;陈伟;陈秋华 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本发明专利涉及一种去除亚表面损伤层的加工方法，将纳米级抛光液放置在抛光容器中，抛光产品粘结在抛光盘上，悬浮在纳米级抛光液中；容器中的电机搅拌纳米级抛光液不断蠕动，冲击光学产品，同时，悬浮在纳米级抛光液的光学产品不断旋转，利用抛光液流动切削抛光光学产品表面，长时间的蠕动抛光作用，达到去除光学亚表面损伤的目的，激光损伤阈值大大提高。
纳米级抛光液光学产品去除亚表面损伤层蠕动悬浮亚表面损伤电机搅拌激光损伤抛光产品抛光容器抛光作用抛光盘抛光液抛光切削粘结加工流动

[发明专利]一种纳米级和亚微米级金属粉体的制备方法-CN201911415090.X有效
发明人：喻维杰;张锡强;赵常 -专利权人：拓米（成都）应用技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B22F9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级和亚微米级金属粉体的制备方法，包括步骤：步骤S1，提供一第一混合物，第一混合物包括纳米级高纯硅粉体、金属化合物和一辅助试剂；步骤S2，提供一研磨工艺处理第一混合物，得到一第一粉体；步骤S3，提供一烧结工艺处理第一粉体，得到一第二混合物；步骤S4，除去第二混合物中的多余的硅和/或硅化合物，得到一第二粉体；步骤S5，洗涤烘干第二粉体，得到纳米和亚微米级金属粉体。本发明将高还原性的纳米硅应用于纳米级和亚微米级金属粉体的制备，提供一种成本低、产量高的纳米级和亚微米级金属粉体的制备方法。
一种纳米微米金属制备方法

[发明专利]一种纳米级亚表面红外成像的方法-CN202210507126.2在审
发明人：夏兴华;李剑 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米级亚表面红外成像的方法，采用光诱导力显微镜，针对具有声子材料表面的亚表面结构进行红外成像。利用声子材料表面的信号，实现位于亚表面的结构的纳米级红外成像。
一种纳米表面红外成像方法

[发明专利]以石墨烯键长作为计量基准的长度计量溯源方法-CN201210371352.9有效
发明人：刘红忠;蒋维涛;姜维;丁玉成;卢秉恒 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G01B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以石墨烯键长作为计量基准的长度计量溯源方法，利用石墨烯键长作为长度计量溯源的基准，利用检测的石墨烯键长数量对待检测对象进行长度计量及溯源，实现亚纳米级精度的长度计量溯源。将待检测对象与石墨烯基准样品承载台进行超精密同步运动控制联接，通过扫描的石墨烯键长数量表征石墨烯基准样品承载台的运动长度，实时检测石墨烯基准样品承载台运动，从而获得待检测对象亚纳米级精度的长度计量，实现亚纳米级精度的长度计量溯源；该方法利用石墨烯晶格作为长度计量溯源的基准，具有稳定性高、计量精度可达亚纳米级、简单可靠等特点，在超精密计量溯源领域具有广泛的应用前景。
石墨烯键长作为计量基准长度溯源方法

[发明专利]以时间基准为参照的精密光栅制造方法-CN201210371250.7有效
发明人：刘红忠;蒋维涛;杨俊;丁玉成;卢秉恒 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种以时间基准为参照的精密光栅制造方法，该方法提出了一种在纳米制造中以时间映射长度作为加工控制量基准的方法，利用高能束（电子束、离子束、激光束等）作为加工能量源，实现纳米级/亚纳米级精度精密光栅制造该方法回避了传统的以长度作为加工控制量基准，针对纳米制造过程中纳米级精度材料去除，比传统长度计量精度将提高2个数量级。该方法将时间度量长度的方法应用于精密光栅制造中，可实现纳米/亚纳米级精度精密光栅的加工精度要求。
时间基准参照精密光栅制造方法

[发明专利]一种亚氧化钛和硫化钼电解水制氢的催化剂及制法和应用-CN201811460298.9在审
发明人：李开喜;李威;赵江红 -专利权人：中国科学院山西煤炭化学研究所
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：一种亚氧化钛和硫化钼电解水制氢的催化是由纳米级亚氧化钛和二硫化钼组成，其中纳米级亚氧化钛与二硫化钼的质量比为0.1‑100:1。本发明催化剂具有导电性好、稳定性高的优点。
亚氧化钛二硫化钼电解水硫化钼纳米级制氢导电性质量比制法催化剂催化应用

[发明专利]一种纳米级金属有机骨架材料的制备方法-CN201210050548.8有效
发明人：陈亮;林贻超;闫秋菊;孔春龙 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C07F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级金属有机骨架材料的制备方法，包括金属盐、有机配体在溶剂中，在碱存在下反应制得金属有机骨架材料的步骤，可以得到制得具有不同形貌的纳米级/亚纳米级金属有机骨架材料。制备方法简单，可以得到纳米级的金属有机骨架材料，可用于气体捕获分离、催化及药物输送等领域，具有广泛的应用前景。
一种纳米金属有机骨架材料制备方法

[发明专利]高导热组合物及制备方法及其导热垫片-CN201510990606.9在审
发明人：吴靖 -专利权人：平湖阿莱德实业有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明涉及高导热组合物，包括聚硅氧烷基体和经机械融合方法获得的复合导热填料，并通过融合、搅拌的制备方法制成；本发明的优点：通过聚硅氧烷基体和经机械融合方法获得的复合导热填料制成的高导热组合物，且复合导热填料包括微米级导热粉体、纳米级导热粉体和\或亚微米级导热粉体，纳米级导热粉体和亚微米级导热粉体具有表面积大、表面能高和表面活性高的特点通过机械融合的方式将纳米级导热粉体与微米级导热粉体融合，制得复合导热填料，使得纳米级导热粉体与微米级导热粉体得以充分分散，同时也大大减小了纳米级导热粉体与微米级导热粉体之间的界面热阻，充分发挥了纳米级导热粉体的导热性能，使得高导热组合物的导热性能更佳。
导热组合制备方法及其垫片

[发明专利]碳化钨耐磨堆焊材料及焊条-CN02115751.0无效
发明人：张烈华;吴建;杨汉民;徐月容 -专利权人：江汉石油钻头股份有限公司
申请日： 2002-04-23 - 公布日： 2002-10-23 - 主分类号： B23K35/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化钨耐磨堆焊材料及焊条,包括主料碳化钨颗粒和辅料,其不同之处在于所述的碳化钨颗粒的部分或全部为亚微细或纳米级烧结碳化钨颗粒。所述的亚微细或纳米级烧结碳化钨颗粒由亚微细或纳米级碳化钨粉和粘结相,用粉末冶金制作方法,经混粉、制粒、过筛、烧结而成,本发明由于采用了亚微细或纳米级烧结碳化钨颗粒,使焊条使用后的碳化钨堆焊层表面质量和耐磨性有了大幅度的提高
碳化耐磨堆焊材料焊条

[发明专利]纳米级氧化亚锰-导电炭黑复合材料及其合成方法-CN201510032616.1在审
发明人：邵宗平;邓翔;赵伯特;张兆宝;蔡锐 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01M4/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米级氧化亚锰-导电炭黑复合材料及合成方法。以商业化廉价的导电炭黑作为基底，与高锰酸钾进行氧化还原反应，首先生成纳米级氧化锰纳米片-导电炭黑复合粒子，再经还原性气氛或惰性气氛焙烧得到最终的纳米级氧化亚锰-导电炭黑复合材料。制备所得的氧化亚锰-导电炭黑复合材料应用于锂离子电池负极有着出色的性能。
纳米氧化导电炭黑复合材料及其合成方法

[发明专利]金属硅氮化物或金属硅氧氮化物亚微米荧光粉颗粒及合成这些荧光粉的方法-CN200980118581.6无效
发明人：帕德马纳巴·R·拉维利塞蒂;希夫库马·奇鲁沃卢;神部信行;阿比谢克·杰斯沃尔 -专利权人：内诺格雷姆公司
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：使用一种或多种前体材料的纳米级颗粒利用固态反应合成金属硅氮化物和金属硅氧氮化物的亚微米粉末。例如，氮化硅的纳米级粉末是有用的用于合成金属硅氮化物和金属硅氧氮化物亚微米粉末的前体粉末。由于使用纳米级前体材料合成亚微米荧光粉粉末，产物荧光粉可具有非常高的内量子效率。所述荧光粉粉末可包含合适的掺杂剂激活剂，例如稀土金属元素掺杂剂。
金属硅氮化物微米荧光粉颗粒合成这些方法

[发明专利]导电银浆-CN201710136305.9有效
发明人：孙宝全;宋涛 -专利权人：苏州工业园区英纳电子材料有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种导电银浆，包括有机载体和表面修饰有机化合物的银颗粒，银颗粒包括亚微米级银颗粒和纳米级银颗粒，亚微米级银颗粒的粒径为100‑1000nm，纳米级银颗粒的粒径为2‑50nm。本发明的导电银浆在较低的烘烤温度下可以将表面修饰的有机化合物分解或脱附，使其以气态从银颗粒表面被去除，同时纳米级银颗粒可以与亚微米级银颗粒烧结在一起，使用本发明的导电银浆制备透明导电薄膜，可以有效提高透明导电薄膜的导电率
导电

[发明专利]三维纳米级交叉杆-CN200680013948.4有效
发明人： R·S·威廉斯;P·J·屈克斯 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本发明的多个实施例包括三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置，其中可以在三个独立的方向上路由(1016)信号，并且其中可以在通过内部信号线(502－509和702－709)互连的结(510，802)处制备电子部件所述三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置包括层，纳米线或微米级或亚微米级/纳米线结，其每一个可被经济和有效地制备为一种类型的电子部件。本发明的多个实施例包括纳米级存储器，纳米级可编程阵列，纳米级多路复用器和多路分离器，以及几乎不限数量的专用纳米级电路和纳米级电子部件。
三维纳米交叉

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