[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910547770.0 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110648978A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 山田文生 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/28;H01L23/492;H01L21/56;H01L21/58 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种半导体器件，其包括安装基板、半导体芯片、后表面金属层、AuSn焊料层和焊料阻挡金属层。半导体芯片被安装在安装基板上，并且包括前表面和后表面，以及发热元件。后表面金属层包含金(Au)。AuSn焊料层位于安装基板和后表面之间，以将半导体芯片固定到安装基板。焊料阻挡金属层位于后表面和安装基板之间，并且位于除了其中形成发热元件的加热区域之外的非加热区域中。焊料阻挡金属层包括NiCr、Ni和Ti中的至少一种，并且延伸到半导体芯片的边缘。空隙被设置在焊料阻挡金属层和AuSn焊料层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 安装基板 后表面 焊料 半导体芯片 阻挡金属层 半导体器件 发热元件 金属层 非加热区域 加热区域 前表面 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n安装基板；/n半导体芯片，所述半导体芯片被安装在所述安装基板上，所述半导体芯片包括面向所述安装基板的后表面、与所述后表面相反的前表面、以及在所述前表面上形成的至少一个发热元件；/n后表面金属层，所述后表面金属层被形成在所述半导体芯片的所述后表面上，所述后表面金属层包含金(Au)；/nAuSn焊料层，所述AuSn焊料层位于所述安装基板和所述半导体芯片的所述后表面之间，以通过所述后表面金属层将所述半导体芯片固定到所述安装基板；以及/n焊料阻挡金属层，所述焊料阻挡金属层位于所述半导体芯片的所述后表面和所述安装基板之间，并且所述焊料阻挡金属层位于除了形成所述发热元件的加热区域之外的非加热区域中，所述焊料阻挡金属层包含镍-铬(NiCr)、镍(Ni)和钛(Ti)中的至少一种并且延伸到所述半导体芯片的第一边缘，/n其中，在所述焊料阻挡金属层和所述AuSn焊料层之间提供有空隙。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电工光电子器件创新株式会社，未经住友电工光电子器件创新株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910547770.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
