[发明专利]半导体晶粒的制造方法在审

申请号：	201910537982.0	申请日：	2019-06-20
公开（公告）号：	CN110660676A	公开（公告）日：	2020-01-07
发明（设计）人：	王韻婷;林奕安;张庆全;郭铂漳	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/48	分类号：	H01L21/48;H01L23/498
代理公司：	11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	提供一种半导体晶粒的制造方法。形成下钝化层于半导体基板之上的介电层上。然后，形成第一开口于下钝化层内以露出介电层的一部分。接着，形成金属垫于第一开口内。之后，形成第一氧化物系钝化层于金属垫之上。然后，形成第二氧化物系钝化层于第一氧化物系钝化层之上。第二氧化物系钝化层具有硬度小于第一氧化物系钝化层的硬度。
搜索关键词：	钝化层氧化物系介电层金属垫开口半导体基板半导体晶粒制造
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【主权项】：

1.一种半导体晶粒的制造方法，其特征在于，该制造方法包含：/n形成一下钝化层于一半导体基板之上的一介电层上；/n形成一第一开口于该下钝化层内以露出该介电层的一部分；/n形成一金属垫于该第一开口内；/n形成一第一氧化物系钝化层于该金属垫之上；以及/n形成一第二氧化物系钝化层于该第一氧化物系钝化层之上，该第二氧化物系钝化层具有一硬度小于该第一氧化物系钝化层的一硬度。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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