[发明专利]半导体发光装置有效
| 申请号： | 201910525848.9 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN110518103B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 胜野弘;泽野正和;宫部主之 | 申请（专利权）人： | 阿尔发得株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种将配光扩大的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；及第2金属层，电连接于所述第2半导体层。所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，其特征在于：包括：/n发光部件，包含：第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、以及在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；且该发光部件具有：第1表面侧，包含所述第1半导体层的表面；第2表面侧，包含所述第2半导体层的表面，且与所述第1表面侧为相反侧；侧面，包含所述第1半导体层的外缘；以及凹部，在所述第2表面侧向内侧延伸直到所述第1半导体层的内部、并且具有一部分朝向所述侧面的内面；/n第1金属层，设置在所述凹部内，电连接于所述第1半导体层；/n第2金属层，设置在所述第2表面侧，电连接于所述第2半导体层；/n垫电极，经由所述第1金属层电连接于所述第1半导体层，并且在所述发光部件的所述第1表面侧具有露出面；/n连接层，设置在所述发光部件的所述第2表面侧，覆盖所述第1金属层；以及/n第1电介质膜，设置在所述第1金属层与所述连接层之间，使所述第1金属层与所述连接层电绝缘；且/n所述第2金属层位于所述发光部件与所述连接层之间。/n
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