[发明专利]功率半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910512107.7 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110610981A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李元华;G·H·勒歇尔特 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L29/872 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种功率半导体器件及其形成方法。所述功率半导体器件包括具有第一导电类型的半导体层。沟槽限定在所述半导体层内，所述沟槽具有开口、侧壁和基部。柱设在所述沟槽下方，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型。金属层设在所述沟槽的所述侧壁上方，所述金属层在所述沟槽的所述侧壁处接触所述半导体层以形成肖特基二极管的肖特基界面。第一电极设在所述半导体层的第一侧上方。第二电极设在所述半导体层的第二侧上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 功率半导体器件 第一导电类型 金属层 侧壁 肖特基二极管 导电类型 第二电极 第一电极 侧壁处 肖特基 基部 开口 申请 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：/n半导体层，所述半导体层具有第一导电类型；/n沟槽，所述沟槽限定在所述半导体层内，所述沟槽具有开口、侧壁和基部；/n柱，所述柱设在所述沟槽下方，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；/n金属层，所述金属层设在所述沟槽的所述侧壁上方，所述金属层在所述沟槽的所述侧壁处接触所述半导体层以形成肖特基二极管的肖特基界面；/n第一电极，所述第一电极设在所述半导体层的第一侧上方；和/n第二电极，所述第二电极设在所述半导体层的第二侧上方。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体组件工业公司，未经半导体组件工业公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910512107.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种显示基板及其制备方法、显示装置
- 下一篇：一种肖特基二极管及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
