[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201910475519.8 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110571132A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 木内逸人;山本敬祐;木村泰一朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法，确保在基质上支承晶片的支承力，同时不降低生产率，也不降低剥离了基质后的器件的品质。晶片(10)的加工方法包含如下的工序：晶片配设工序，在对晶片(10)进行支承的基质(30)的上表面上敷设聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片(20)，将晶片(10)的正面(10a)定位于片(20)的上表面(20a)而进行配设；片热压接工序，在密闭环境内对隔着片(20)而配设于基质(30)的晶片(10)进行减压，对片(20)进行加热，并且按压晶片(10)，从而隔着片(20)将晶片(10)热压接在基质(30)上；背面加工工序，对晶片(10)的背面(10b)实施加工；以及剥离工序，将晶片(10)从片(20)剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 基质 热压接 上表面 背面 剥离 加工 按压 剥离工序 加工工序 聚烯烃系 密闭环境 聚酯系 上支承 支承力 敷设 减压 支承 加热 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，对由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，/n该晶片的加工方法具有如下的工序：/n晶片配设工序，在对晶片进行支承的基质的上表面上敷设聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片，将晶片的正面定位于该片的上表面而进行配设；/n片热压接工序，在实施了该晶片配设工序之后，在密闭环境内对隔着该片而配设于该基质的晶片进行减压，对该片进行加热，并且按压晶片，从而隔着该片将晶片热压接在该基质上；/n背面加工工序，在实施了该片热压接工序之后，对晶片的背面实施加工；以及/n剥离工序，在实施了该背面加工工序之后，将晶片从该片剥离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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