[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201910475519.8 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110571132A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 木内逸人;山本敬祐;木村泰一朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 基质 热压接 上表面 背面 剥离 加工 按压 剥离工序 加工工序 聚烯烃系 密闭环境 聚酯系 上支承 支承力 敷设 减压 支承 加热 | ||
1.一种晶片的加工方法，对由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，
该晶片的加工方法具有如下的工序：
晶片配设工序，在对晶片进行支承的基质的上表面上敷设聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片，将晶片的正面定位于该片的上表面而进行配设；
片热压接工序，在实施了该晶片配设工序之后，在密闭环境内对隔着该片而配设于该基质的晶片进行减压，对该片进行加热，并且按压晶片，从而隔着该片将晶片热压接在该基质上；
背面加工工序，在实施了该片热压接工序之后，对晶片的背面实施加工；以及
剥离工序，在实施了该背面加工工序之后，将晶片从该片剥离。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该背面加工工序中，实施对晶片的背面进行磨削的磨削工序。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该聚烯烃系片从由聚乙烯片、聚丙烯片以及聚苯乙烯片构成的组中进行选择。
4.根据权利要求3所述的晶片的加工方法，其中，
关于在选择了聚烯烃系片作为该片的情况下的该片热压接工序中的该片的加热温度，在该片由聚乙烯片构成的情况下，该加热温度为120℃～140℃，在该片由聚丙烯片构成的情况下，该加热温度为160℃～180℃，在该片由聚苯乙烯片构成的情况下，该加热温度为220℃～240℃。
5.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该聚酯系片从由聚对苯二甲酸乙二醇酯片和聚萘二甲酸乙二醇酯片构成的组中进行选择。
6.根据权利要求5所述的晶片的加工方法，其中，
关于在选择了聚酯系片作为该片的情况下的该片热压接工序中的该片的加热温度，在该片由聚对苯二甲酸乙二醇酯片构成的情况下，该加热温度为250℃～270℃，在该片由聚萘二甲酸乙二醇酯片构成的情况下，该加热温度为160℃～180℃。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的晶片的加工方法，其中，
在该片热压接工序中，按压晶片以使该片围绕晶片而鼓出。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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