[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，确保在基质上支承晶片的支承力，同时不降低生产率，也不降低剥离了基质后的器件的品质。晶片(10)的加工方法包含如下的工序：晶片配设工序，在对晶片(10)进行支承的基质(30)的上表面上敷设聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片(20)，将晶片(10)的正面(10a)定位于片(20)的上表面(20a)而进行配设；片热压接工序，在密闭环境内对隔着片(20)而配设于基质(30)的晶片(10)进行减压，对片(20)进行加热，并且按压晶片(10)，从而隔着片(20)将晶片(10)热压接在基质(30)上；背面加工工序，对晶片(10)的背面(10b)实施加工；以及剥离工序，将晶片(10)从片(20)剥离。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，在基质上支承晶片而对晶片的背面进行加工。

背景技术

由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片在通过磨削装置对背面进行磨削而加工成规定的厚度之后，通过切割装置(线切割机)分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

近年来，为了响应电子设备的小型化、轻量化的要求而使各种器件芯片小型、轻量化，存在将晶片也尽可能薄地加工成50μm、30μm的趋势。

在通过磨削装置将晶片加工得较薄的情况下，存在如下的问题：加工得越薄，晶片的强度越降低，在磨削时进而在磨削后的搬送时，晶片破损的危险性提高。因此，申请人提出了如下的技术：在将晶片加工得较薄时，利用刚性高于晶片的基质对晶片进行支承而对晶片的背面进行磨削(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2004-296839号公报

在专利文献1记载的技术中，在晶片的正面上涂布液态树脂而构成粘接层，借助该粘接层而使晶片和基质一体化。但是，在利用上述的液态树脂而进行一体化的情况下，存在如下的问题：通过基质对晶片进行支承的支承力并不充分，在实施磨削加工时，保持工作台上的晶片不稳定，在磨削加工时使晶片破损。作为使晶片和基质一体化的手段，除了液态树脂以外，还考虑了双面胶或蜡等，但与通过液态树脂进行一体化的情况同样地，无法充分确保在基质上支承晶片的支承力，会产生同样的问题。

另外，在晶片的正面上所形成的器件的正面上形成有多个被称为凸块的突起电极的情况下，当晶片未稳定地支承于基质上时，存在磨削时的应力集中于该凸块而发生破损的问题。

另外，在磨削结束而将基质从晶片的正面剥离时，还存在如下的问题：液态树脂、双面胶的糊料剂、蜡等附着于该凸块而残留在晶片的正面上，使器件的品质降低，当追加将这些液态树脂、糊料剂、蜡等去除的工序时，生产率也降低。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，确保在基质上支承晶片的支承力，同时不降低生产率，也不降低剥离了基质后的器件的品质。

根据本发明，提供晶片的加工方法，对由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：晶片配设工序，在对晶片进行支承的基质的上表面上敷设聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片，将晶片的正面定位于该片的上表面而进行配设；片热压接工序，在实施了该晶片配设工序之后，在密闭环境内对隔着该片而配设于该基质的晶片进行减压，对该片进行加热，并且按压晶片，从而隔着该片将晶片热压接在该基质上；背面加工工序，在实施了该片热压接工序之后，对晶片的背面实施加工；以及剥离工序，在实施了该背面加工工序之后，将晶片从该片剥离。

优选在该背面加工工序中，实施对晶片的背面进行磨削的磨削工序。另外，该聚烯烃系片可以由聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片构成。关于在选择了聚烯烃系片作为该片的情况下的该片热压接工序中的该片的加热温度，在该片由聚乙烯片构成的情况下，优选该加热温度为120℃～140℃，在该片由聚丙烯片构成的情况下，优选该加热温度为160℃～180℃，在该片由聚苯乙烯片构成的情况下，优选该加热温度为220℃～240℃。