[发明专利]一种彩色偏振CMOS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种彩色偏振CMOS图像传感器及其制作方法，具体包括：p+基底(01)、p+层1(02)、n+(03)、n+层1(04)、p+层2(05)、n+层2(06)、p+层3(07)、n+层3(08)、光电子漂流层(09)、彩色信息输出电路(10)及四个纳米线极化滤波器。该传感器包含1300*800个像素，每个像素包含3个垂直堆叠的光电二极管和一个光电子漂流层(09)，每个二极管由p+和n+交替参杂形成。在CMOS后沉积金属纳米线，从而增加了该传感器的偏振灵敏度。由于不同波长的预期穿透深度不同，同一个像素中不同深度的PN结将会表现出不同的吸收光谱，从而实现了200nm～1000nm的光谱响应。该传感器具有动态范围大，信噪比高，功耗低等优点，在实际应用中具有很大的应用价值。

主权项

1.一种彩色偏振CMOS图像传感器及其制作方法，包含：p+基底(01)、P+层1(02)、n+层(03)、n+层1(04)、p+层2(05)、n+层2(06)、p+层3(07)、n+层3(08)、光生电子漂移层(09)、彩色信息输出电路(10)、0°纳米线极化滤波器(11)、45°纳米线极化滤波器(12)、90°纳米线极化滤波器(13)、135°纳米线极化滤波器(14)。