[发明专利]用于形成半导体的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201910462107.0 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783268B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于形成半导体的方法以及半导体器件。一种方法包括在多个半导体鳍上形成栅极堆叠。该多个半导体鳍包括多个内部鳍，以及位于该多个内部鳍的相对侧上的第一外部鳍和第二外部鳍。基于该多个半导体鳍生长外延区域，并且沿着第一外部鳍的外部侧壁测量的外延区域的第一高度小于沿着第一外部鳍的内部侧壁测量的外延区域的第二高度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体的方法，包括：/n在块半导体衬底上方形成隔离区域；/n凹陷所述隔离区域，其中，所述隔离区域之间的半导体条带的顶部部分突出高于所述隔离区域的顶表面以形成鳍组，并且所述鳍组包括：/n多个内部鳍；以及/n第一外部鳍和第二外部鳍，位于所述多个内部鳍的相对侧上；以及/n在所述多个内部鳍、所述第一外部鳍和所述第二外部鳍的侧壁上形成鳍间隔件，其中，所述鳍间隔件包括：/n外部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的外部侧壁上，其中，所述外部侧壁背离所述鳍组，并且所述外部鳍间隔件具有第一高度；以及/n内部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的内部侧壁上，其中，所述内部侧壁面向所述多个内部鳍，并且所述内部鳍间隔件具有小于所述第一高度的第二高度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
