[发明专利]用于形成半导体的方法以及半导体器件

说明书

本公开涉及用于形成半导体的方法以及半导体器件。一种方法包括在多个半导体鳍上形成栅极堆叠。该多个半导体鳍包括多个内部鳍，以及位于该多个内部鳍的相对侧上的第一外部鳍和第二外部鳍。基于该多个半导体鳍生长外延区域，并且沿着第一外部鳍的外部侧壁测量的外延区域的第一高度小于沿着第一外部鳍的内部侧壁测量的外延区域的第二高度。

技术领域

本公开一般地涉及用于形成半导体的方法以及半导体器件。

背景技术

集成电路(IC)材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数目)通常增加，而几何尺寸减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

这种缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，已经引入鳍式场效应晶体管(FinFET)来代替平面晶体管。正在开发FinFET的结构和制造FinFET的方法。

FinFET基于半导体鳍而形成。可以通过在栅极的相对侧上刻蚀半导体鳍的一些部分，并然后在由半导体鳍的刻蚀部分留下的空间中生长适当的材料来形成FinFET的源极和漏极区域。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种用于形成半导体的方法，包括：在块半导体衬底上方形成隔离区域；凹陷所述隔离区域，其中，所述隔离区域之间的半导体条带的顶部部分突出高于所述隔离区域的顶表面以形成鳍组，并且所述鳍组包括：多个内部鳍；以及第一外部鳍和第二外部鳍，位于所述多个内部鳍的相对侧上；以及在所述多个内部鳍、所述第一外部鳍和所述第二外部鳍的侧壁上形成鳍间隔件，其中，所述鳍间隔件包括：外部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的外部侧壁上，其中，所述外部侧壁背离所述鳍组，并且所述外部鳍间隔件具有第一高度；以及内部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的内部侧壁上，其中，所述内部侧壁面向所述多个内部鳍，并且所述内部鳍间隔件具有小于所述第一高度的第二高度。

根据本公开的另一实施例，提供了一种用于形成半导体的方法，包括：在多个半导体鳍上形成栅极堆叠，其中，所述多个半导体鳍包括：多个内部鳍；以及第一外部鳍和第二外部鳍，位于所述多个内部鳍的相对侧上；以及基于所述多个半导体鳍外延生长外延区域，其中，沿着所述第一外部鳍的外部侧壁测量的所述外延区域的第一高度小于沿着所述第一外部鳍的内部侧壁测量的所述外延区域的第二高度。

根据本公开的又一实施例，提供了一种半导体器件，包括：多个半导体鳍，其中，所述多个半导体鳍包括：多个内部鳍；以及第一外部鳍和第二外部鳍，位于所述多个内部鳍的相对侧上；栅极堆叠，位于所述多个半导体鳍的侧壁和顶表面上；鳍间隔件，位于所述栅极堆叠的一侧上，其中，所述鳍间隔件包括：第一外部鳍间隔件和第二外部鳍间隔件，其中，所述第一外部鳍间隔件和所述第二外部鳍间隔件具有第一高度；以及内部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍间隔件和所述第二外部鳍间隔件之间，其中，所述内部鳍间隔件具有小于所述第一高度的第二高度；以及半导体区域，位于延伸到每对所述鳍间隔件之间的空间中。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各个方面。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1至图3、4A、4B-1至4B-5、5A、5B、6至9和10A示出了根据一些实施例的鳍式场效应晶体管(FinFET)的形成中的中间阶段的横截面图和透视图。

图10B示出了根据一些实施例的具有合并外延区域的FinFET的横截面图。

图11示出了根据一些实施例的具有非合并外延区域的FinFET的横截面图。

图12示出了根据一些实施例的具有非凹陷鳍的FinFET的横截面图。