[发明专利]用于形成半导体的方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在块半导体衬底上方形成隔离区域；

凹陷所述隔离区域，其中，所述隔离区域之间的半导体条带的顶部部分突出高于所述隔离区域的顶表面以形成鳍组，并且所述鳍组包括：

多个内部鳍；以及

第一外部鳍和第二外部鳍，位于所述多个内部鳍的相对侧上；以及

在所述多个内部鳍、所述第一外部鳍和所述第二外部鳍的侧壁上形成鳍间隔件，其中形成所述鳍间隔件包括：

在所述多个内部鳍、所述第一外部鳍和所述第二外部鳍的顶部表面和侧壁上沉积间隔件层；

执行第一刻蚀工艺以减薄所述间隔件层；

移除在所述第一刻蚀工艺中所产生的第一聚合物；

在移除了所述第一聚合物之后，执行第二刻蚀工艺以刻蚀所述间隔件层；

移除在所述第二刻蚀工艺中所产生的第二聚合物，并且

其中，所述鳍间隔件包括：

外部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的外部侧壁上，其中，所述外部侧壁背离所述鳍组，并且所述外部鳍间隔件具有第一高度；以及

内部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍的内部侧壁上，其中，所述内部侧壁面向所述多个内部鳍，并且所述内部鳍间隔件具有小于所述第一高度的第二高度，

基于所述多个内部鳍、所述第一外部鳍和所述第二外部鳍来外延生长外延区域，其中所述外延生长外延区域包括用多个周期来脉冲偏置电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一高度比所述第二高度大，高度差大于2nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部鳍间隔件和所述内部鳍间隔件以共同的工艺形成。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括形成栅极堆叠，其中，所述栅极堆叠在所述多个内部鳍、所述第一外部鳍和所述第二外部鳍中的每一项的侧壁和顶部表面上延伸。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括在所述栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔件，其中，所述栅极间隔件和所述鳍间隔件以共同的形成工艺形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，直接在所述外部鳍间隔件上方测量的所述外延区域的第三高度小于直接在所述内部鳍间隔件上方测量的所述外延区域的第四高度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第四高度比所述第三高度大，高度差大于2nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述脉冲的占空比在10%和90%之间的范围内。

9.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

形成延伸到半导体衬底的隔离区域；

形成突出高于所述隔离区域的多个半导体鳍，其中，所述多个半导体鳍包括：

多个内部鳍；以及

第一外部鳍和第二外部鳍，位于所述多个内部鳍的相对侧上；

在所述多个半导体鳍的侧壁上形成鳍间隔件，其中形成所述鳍间隔件包括：

在所述多个半导体鳍的顶部表面和侧壁上沉积间隔件层；

执行第一蚀刻工艺以减薄所述间隔件层；

移除在所述第一蚀刻工艺中所产生的第一聚合物；

在移除了所述第一聚合物之后，执行第二蚀刻工艺以蚀刻所述间隔件层；

移除在所述第二蚀刻工艺中所产生的第二聚合物；并且

其中，所述鳍间隔件包括：

第一外部鳍间隔件和第二外部鳍间隔件，其中所述第一外部鳍间隔件和所述第二外部鳍间隔件具有第三高度；以及

内部鳍间隔件，位于所述第一外部鳍间隔件和所述第二外部鳍间隔件之间，其中，所述内部鳍间隔件具有小于所述第三高度的第四高度；并且

基于所述多个半导体鳍外延生长外延区域，其中，沿着所述第一外部鳍的外部侧壁测量的所述外延区域的第一高度小于沿着所述第一外部鳍的所述内部侧壁测量的所述外延区域的第二高度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一高度和所述第二高度之间的差大于2nm。