[发明专利]用于纳米线晶体管的空腔间隔物在审
| 申请号： | 201910456614.3 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660849A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | W·许;B·古哈;L·古勒尔;S·查克拉博蒂;J·S·康;B·贝蒂;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L27/085;H01L21/335;H01L29/423;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种晶体管结构包括基底和位于基底之上的主体。主体包括半导体材料并具有第一端部和第二端部。栅极结构在第一端部与第二端部之间环绕主体，其中栅极结构包括栅电极和栅电极与主体之间的栅极电介质。源极与第一端部接触，并且漏极与第二端部接触。第一间隔物材料位于栅电极的相对侧上和第一端部上方。第二间隔物材料与栅极结构相邻并位于纳米线主体的第一端部下方。第二间隔物材料位于源极和漏极的底表面下方并与源极和漏极的底表面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 第一端部 间隔物材料 第二端部 栅极结构 栅电极 漏极 源极 基底 半导体材料 晶体管结构 栅极电介质 纳米线 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n基底；/n位于基底之上的主体，所述主体包括半导体材料，所述主体为纳米线、纳米带或纳米片的形式，并具有第一端部和第二端部；/n在所述第一端部与第二端部之间环绕所述主体的栅极结构，所述栅极结构包括栅电极和所述栅电极与所述主体之间的栅极电介质；/n与所述第一端部横向相邻并与所述第一端部接触的源极区；/n与所述第二端部横向相邻并与所述第二端部接触的漏极区；/n位于所述栅极结构的相对侧上的第一间隔物材料，所述第一间隔物材料位于所述主体的所述第一端部上方；以及/n位于所述栅极结构的相对侧上和所述主体的所述第一端部下方的第二间隔物材料；/n其中：/n所述第二间隔物材料在组分上与所述第一间隔物材料不同，或者/n所述第二间隔物材料与所述第一间隔物材料相同，所述第二间隔物材料还竖直位于所述源极区的底表面下方并与所述源极区的底表面接触，以及竖直位于所述漏极区的底表面下方并与所述漏极区的底表面接触。/n
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