[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910432864.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN111063734A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李东镇;金奉秀;金志永;柳虎林 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈亚男;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；埋入栅极结构，位于基底的第一区域中的第一凹部上；以及凹入栅极结构，位于基底的第二区域中的第二凹部上，其中，埋入栅极结构埋在基底中，凹入栅极结构的上部不埋在基底中，埋入栅极结构中的第一功函数调节层可以包括与凹入栅极结构的第二功函数调节层中包括的材料相同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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