[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；埋入栅极结构，位于基底的第一区域中的第一凹部上；以及凹入栅极结构，位于基底的第二区域中的第二凹部上，其中，埋入栅极结构埋在基底中，凹入栅极结构的上部不埋在基底中，埋入栅极结构中的第一功函数调节层可以包括与凹入栅极结构的第二功函数调节层中包括的材料相同的材料。

本申请要求于2018年10月17日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0123920号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括凹入沟道晶体管的半导体装置。

背景技术

随着半导体装置的集成性增加，由包括在半导体装置中的每个晶体管占据的面积已经逐渐减小，并且晶体管的沟道长度也减小。然而，随着沟道长度减小，阈值电压的标准偏差增大。为了解决上述问题，可以使用凹入沟道晶体管。凹入沟道晶体管的凹入栅极形成在基底的凹部上，因此，可以在相同的面积中获得更大的沟道长度，因此，可以减小阈值电压的标准偏差。

发明内容

发明构思提供了一种半导体装置，该半导体装置包括凹入沟道晶体管，具有减小的阈值电压标准偏差，并且容易制造。

根据一些实施例，本公开涉及一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；埋入栅极结构，位于基底的第一区域中的第一凹部上并且包括第一功函数调节层；以及凹入栅极结构，位于基底的第二区域中的第二凹部上并且包括第二功函数调节层，其中，埋入栅极结构埋在基底中，其中，凹入栅极结构的上部不埋在基底中，其中，埋入栅极结构中的第一功函数调节层和凹入栅极结构中的第二功函数调节层包括相同的材料。

根据一些实施例，本公开涉及一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；埋入栅极结构，位于基底的第一区域中的第一凹部上；以及凹入栅极结构，位于基底的第二区域中的第二凹部上，其中，埋入栅极结构包括位于第一凹部上的第一栅极绝缘层、位于埋入栅极结构的下部处的下填充层、位于埋入栅极结构的上部处的上填充层以及位于上填充层与第一栅极绝缘层之间的第一功函数调节层，其中，凹入栅极结构包括位于第二凹部上的第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上的第二功函数调节层以及位于第二功函数调节层上的填充层，其中，第一功函数调节层包括与第二功函数调节层中包括的材料相同的材料。

根据一些实施例，本公开涉及一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括第一区域、第二区域和第三区域；埋入栅极结构，包括位于基底的第一区域中的第一凹部上的第一栅极绝缘层和位于第一栅极绝缘层上的第一功函数调节层；第一凹入栅极结构，包括位于基底的第二区域中的第二凹部上的第二栅极绝缘层和位于第二栅极绝缘层上的第二功函数调节层；以及第二凹入栅极结构，包括位于基底的第三区域中的第三凹部上的第三栅极绝缘层和位于第三栅极绝缘层上的第三功函数调节层，其中，第一功函数调节层和第二功函数调节层包括相同的材料，其中，第一功函数调节层和第三功函数调节层包括不同的材料。

附图说明

图1和图2分别是根据发明构思的示例实施例的半导体装置的俯视平面图和剖视图；

图2示出了根据示例实施例的半导体装置的剖视图，沿图1中示出的线AA'、线BB'和线CC'截取的剖视图；以及

图3至图19是根据发明构思的示例实施例的用于描述制造半导体装置的方法的剖视图。

具体实施方式

图1和图2分别是根据发明构思的示例实施例的半导体装置的俯视平面图和剖视图。图2示出了根据示例实施例的半导体装置的剖视图，沿图1中示出的线AA'、线BB'和线CC'截取的剖视图。