[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括第一区域和第二区域；

埋入栅极结构，位于基底的第一区域中的第一凹部上并且包括第一功函数调节层；以及

凹入栅极结构，位于基底的第二区域中的第二凹部上并且包括第二功函数调节层，

其中，埋入栅极结构埋在基底中，

其中，凹入栅极结构的上部不埋在基底中，并且

其中，埋入栅极结构中的第一功函数调节层和凹入栅极结构中的第二功函数调节层包括相同的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，埋入栅极结构中的第一功函数调节层和凹入栅极结构中的第二功函数调节层中的每个包括金属-金属氮化物合金。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中，埋入栅极结构中的第一功函数调节层和凹入栅极结构中的第二功函数调节层中的每个包括镧-氮化钛合金。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，第一凹部的深度大于第二凹部的深度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

位线接触件、界面层、位线和位线覆盖层，顺序地堆叠在基底的第一区域中，

其中，凹入栅极结构的上部包括顺序地堆叠的第一栅极层、第二栅极层、第三栅极层和栅极覆盖层，并且

其中，位线接触件、界面层、位线和位线覆盖层中的每个包括与分别包括在第一栅极层、第二栅极层、第三栅极层和栅极覆盖层中的每个中的材料相同的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，埋入栅极结构还包括位于埋入栅极结构的下部处的下填充层，以及位于第一凹部与下填充层之间的阻挡层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，埋入栅极结构还包括位于埋入栅极结构的上部处的上填充层，并且

其中，第一功函数调节层位于第一凹部与上填充层之间。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，埋入栅极结构是第一N型晶体管的一部分，并且

凹入栅极结构是第二N型晶体管的一部分。

9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括第一区域和第二区域；

埋入栅极结构，位于基底的第一区域中的第一凹部上；以及

凹入栅极结构，位于基底的第二区域中的第二凹部上，

其中，埋入栅极结构包括位于第一凹部上的第一栅极绝缘层、位于埋入栅极结构的下部处的下填充层、位于埋入栅极结构的上部处的上填充层以及位于上填充层与第一栅极绝缘层之间的第一功函数调节层，

其中，凹入栅极结构包括位于第二凹部上的第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上的第二功函数调节层以及位于第二功函数调节层上的填充层，并且

其中，第一功函数调节层包括与第二功函数调节层中包括的材料相同的材料。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中，埋入栅极结构还包括位于下填充层与第一栅极绝缘层之间的阻挡层。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中，第一功函数调节层包括位于下填充层与上填充层之间的部分。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中，第二栅极绝缘层、第二功函数调节层和填充层中的每个的一部分埋在基底中。

13.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中，凹入栅极结构还包括顺序地堆叠在填充层上的第一栅极层、第二栅极层、第三栅极层和栅极覆盖层，并且

其中，第一栅极层、第二栅极层、第三栅极层和栅极覆盖层不埋在基底中。