[发明专利]氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201910399256.7 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110499533B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 堀切文正;木村健 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法，提供一种能够使氮化物晶体基板中的载流子浓度和迁移率中的至少任一者大致均匀地分布的技术。一种氮化物晶体基板，其具有主面，由III族氮化物的晶体形成，将基于利用反射型傅立叶变换红外光谱法测定的主面的反射率而求出的氮化物晶体基板的主面侧的载流子浓度设为N |
||
| 搜索关键词： | 氮化物 晶体 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物晶体基板，其具有主面，且由III族氮化物的晶体形成，/n将基于利用反射型傅立叶变换红外光谱法测定的所述主面的反射率而求出的所述氮化物晶体基板的所述主面侧的载流子浓度设为NIR、将基于所述氮化物晶体基板的电阻率和利用涡流法测定的所述氮化物晶体基板的迁移率而求出的所述氮化物晶体基板中的载流子浓度设为NElec时，/n所述主面的中央的所述载流子浓度NIR相对于所述载流子浓度NElec的比率NIR/NElec满足式(1)，/n0.5≤NIR/NElec≤1.5···(1)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910399256.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：快速制备碳化硅的装置
- 下一篇：一种无纺布生产用具有加热防残留结构的喷丝装置
