[发明专利]低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法在审

申请号：	201910360058.X	申请日：	2019-04-29
公开（公告）号：	CN110164995A	公开（公告）日：	2019-08-23
发明（设计）人：	王国胜;谢峰;王润;王俊;郭进	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第三十八研究所
主分类号：	H01L31/0304	分类号：	H01L31/0304;H01L31/108;H01L31/18
代理公司：	合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153	代理人：	王林
地址：	230000 安徽省合***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	本发明公开一种低暗电流n‑AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、吸收层、覆盖层、电极；所述缓冲层设置在所述衬底顶端，所述缓冲层顶端设置所述吸收层，所述吸收层顶端设置所述覆盖层，所述覆盖层顶端设有所述电极；本发明采用的晶格匹配半绝缘Al_xGa_1‑xN覆盖层，作为肖特基势垒增强层，对n‑AlGaN紫外探测器的暗电流限制效果显著，器件整体性能得到明显提升。
搜索关键词：	覆盖层暗电流缓冲层吸收层顶端设置电极衬底制备肖特基势垒紫外探测器晶格匹配半绝缘增强层
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【主权项】：

1.一种低暗电流n‑AlGaN基MSM紫外探测器，其特征在于，包括衬底、缓冲层、吸收层、覆盖层、电极；所述缓冲层设置在所述衬底顶端，所述缓冲层顶端设置所述吸收层，所述吸收层顶端设置所述覆盖层，所述覆盖层顶端设有所述电极。

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摘要：本发明公开一种低暗电流n‑AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、吸收层、覆盖层、电极；所述缓冲层设置在所述衬底顶端，所述缓冲层顶端设置所述吸收层，所述吸收层顶端设置所述覆盖层，所述覆盖层顶端设有所述电极；本发明采用的晶格匹配半绝缘Al_xGa_1‑xN覆盖层，作为肖特基势垒增强层，对n‑AlGaN紫外探测器的暗电流限制效果显著，器件整体性能得到明显提升。

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发明人：刘艳;黄炎;阚杨若颖 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L31/0304
摘要：本发明公开了一种基于BP材料的光电探测器，包括：衬底层、钝化层、吸收层及LSPR效应层；LSPR效应层、吸收层和钝化层在衬底层上依次由上至下竖直分布，其特征在于：LSPR层采用金属Al材料、吸收层采用二维黑磷材料、钝化层采用二氧化硅材料及衬底层采用Si材料，器件的源漏采用金，从而在光学吸收层Al与黑磷界面形成强烈的LSPR效应。本发明光电探测器具有超强吸收的结构，可增强光吸收和响应度能力，为有效提高BP光电探测性能铺平了道路。

一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器-201910039012.8
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/0304
摘要：本发明公开了一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAsBi层和GaSbBi层。所述InAsBi层和GaSbBi层中Bi元素含量均小于15％。吸收区的结构为：7ML InAs_0.95Bi_0.05/10ML GaSb_0.95Bi_0.05。本发明通过在传统的InAs/GaSb二类超晶格光探测器的InAs层和GaSb层中凝入Bi元素，形成InAsBi层和GaSbBi层，从而在不改变探测器截止波长及探测器性能的前提下，能够有效降低二类超晶格光探测器材料的周期厚度以及材料总厚度，减少材料使用成本及分子束外延生长成本。同时还能提高材料的整体吸收系数，减少整个器件体积。

一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器-201910039014.7
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/0304
摘要：本发明公开了一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器为InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，GaSb层中凝入有Bi元素。本发明通过在分子束外延生长GaSb层时凝入一定量的Bi元素，能够有效减少吸收区中的空位或者反位存在，降低探测器的缺陷密度，使得SRH复合减少，器件暗电流下降，载流子的扩散速度增加，器件的量子效率增加，提高InAs/GaSb T2SL光探测器的性能。

表面等离激元增强的氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用-201711005864.2
发明人：崔书娟;梅增霞;梁会力;张永晖;霍文星;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/0304
摘要：本发明提供一种基于表面等离激元的氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，所述紫外探测器包括衬底、位于所述衬底表面的氧化镓‑金属纳米球复合有源层以及设置在所述有源层表面的电极，其中，所述氧化镓‑金属纳米球复合有源层包括氧化镓膜层和嵌入所述氧化镓膜层中的金属纳米球，其中所述金属为Ga、Al、Mg和Pt中的一种或多种。本发明的基于氧化镓‑金属纳米球复合薄膜的光电探测器在日盲紫外光的照射下，金属纳米球产生等离激元共振效应，使得金属纳米球表面电场增强，散射截面增大，与Ga₂O₃材料之间发生能量及热电子转移，因而大幅增强了氧化镓基探测器对日盲光的探测能力，提升了探测器的响应灵敏度。

一种CIGS电池器件及其制备方法-201811609172.3
发明人：李辉;罗海天;屈飞;古宏伟 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/0304
摘要：本发明公开了一种CIGS电池器件及其制备方法。该CIGS电池器件包括：玻璃衬体、在玻璃衬体上磁控溅射的Mo层以及在Mo层上依次制备的CIGS吸收层、CdS缓冲层、AlN高阻层、铝掺杂的ZnO层和Ni‑Al电极。本发明提供的CIGS电池器件具有带隙宽、内部损耗低、绿色环保和稳定性好的特点。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法在审

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