[发明专利]一种基于多重添加钙钛物质层的发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201910350178.1 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110176546A | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 谷怀民;杨先啓 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 | 代理人: | 林伟斌 |
地址: | 510631 广东省广州市天河区中*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及电致发光器件领域,提供一种基于多重添加钙钛物质层的发光二极管及其制备方法,包括由下而上按层状结构设置的衬底、透明导电电极、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、阴极修饰层和阴极电极材料;所述活性发光层为添加有吡咯烷酮和Li盐的多重添加钙钛物质层。与现有技术相比,本发明制备的无机钙钛矿发光二极管有效地提高了发光层表面的覆盖率,减少漏电流,提高辐射复合率,最终解决钙钛矿发光二极管发光弱的问题。多重添加剂策略可有利于提高无机钙钛矿薄膜的质量,获得更小的晶粒和光滑的表面形态,这可以提高电致发光性能和延长器件的寿命。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 物质层 钙钛 制备 活性发光层 无机钙钛矿 电致发光器件 电致发光性能 透明导电电极 阴极电极材料 电子传输层 发光层表面 空穴传输层 阴极修饰层 表面形态 层状结构 吡咯烷酮 晶粒 钙钛矿 漏电流 有效地 衬底 光滑 薄膜 添加剂 发光 覆盖率 复合 辐射 | ||
【主权项】:
1.一种基于多重添加钙钛物质层的发光二极管,包括由下而上按层状结构设置的衬底、透明导电电极、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、阴极修饰层和阴极电极材料;其特征在于,所述活性发光层为添加有吡咯烷酮和Li盐的多重添加钙钛物质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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