[发明专利]一种高击穿强度低介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910337229.7 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110304915A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 刘韩星;袁家印;郝华;曹明贺;尧中华;余志勇 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/465 | 分类号： | C04B35/465;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高击穿强度低介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法，该材料体系基本组成为m wt%MgTiO3‑n wt%ZnNb2O6（MTZN），94≤m≤99，1≤n≤6，m+n=100。该微波介质陶瓷材料同时具有低介电损耗，较高的击穿强度及体积电阻率，各项性能为：介电常数17<εr≤17.5，品质因子与频率的乘积Q•f>23000GHz，击穿强度≥24kV/mm，体积电阻率≥2.2×108Ω•m。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 微波介质陶瓷材料 低介电常数 体积电阻率 制备 低介电损耗 材料体系 介电常数 品质因子 | ||
【主权项】：
1.一种高击穿强度低介电常数的微波介质陶瓷材料，其特征在于所述微波介质陶瓷材料的化学组成表达为m wt%MgTiO3‑n wt%ZnNb2O6，其中，94≤m≤99，1≤n≤6，m+n=100。
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